DDR3讀寫時序 1.DDR3時序參數 意思是說,當我們選擇了187E芯片的時候,他所能支持的最大速率是1066MT/s,即DDR3的時鍾頻率是533MHz。此時tRCD=7 tRP=7 CL=7。 時鍾周期 ...
DDR總線的體系結構如下: 其中DQS是源同步時鍾,在接收端使用DQS來讀出相應的數據DQ,上升沿和下降沿都有效。DDR 總線,DQS是單端信號,而DDR amp , DQS則是差分信號。DQS和DQ都是三態信號,在PCB走線上雙向傳輸。CK是地址 命令時鍾,是單向信號。 DDR總線讀寫時序如下: 讀操作時,DQS信號的邊沿在時序上與DQ的信號邊沿處對齊 寫操作時,DQS信號的邊沿在時序上與DQ ...
2012-01-10 11:41 0 7894 推薦指數:
DDR3讀寫時序 1.DDR3時序參數 意思是說,當我們選擇了187E芯片的時候,他所能支持的最大速率是1066MT/s,即DDR3的時鍾頻率是533MHz。此時tRCD=7 tRP=7 CL=7。 時鍾周期 ...
本講整理一下,如何利用上一講的 DDR2_burst 打造一個可以自動讀寫的 DDR2 控制器,讓其能夠方便的使用於我們的工程中。以攝像頭ov7725 采集 640x480 分辨率的顯示為例,整理這次的設計過程。 一、模塊例化 從例化可以看出,本次 DDR2 設計 ...
和 DDR2 的設計類似,在 DDR3_burst 的基礎上,添加 FIFO,打造一個可以自動讀寫的 DDR3 控制器,讓其能夠方便的適用於不同的場合。 一、DDR3_ctrl 1、架構 由架構圖可以看出,DDR3_ctrl 模塊由寫FIFO、讀FIFO ...
前面已經詳細介紹了從PL端如何用AXI總線去控制DDR的讀寫,並且從AXI_BRESP的返回值來看,我們也是成功寫入了的。但是沒有通過別的方式來驗證寫入的數據的話,總是感覺差了點什么。 今天試了一把從PS端直接讀取DDR里面的數據,剛好跟PL端寫入的一樣,這下可以放心的認為我們寫入成功 ...
是不是題主你把單位弄錯了?實際見過的像RamDisk之類的軟件,連續讀寫能達到的速度也不過5~8GB/s左 ...
看了一段時間的DDR手冊,感覺大體有一點了解了,想要實際上板調試,然而實驗室可用的開發板不多,拿了一塊zynq板看了看,DDR確實有,但是已經集成了控制器,而且控制器還放到了PS端,PL只能通過AXI接口訪問。 無奈另外兩塊開發板也這樣,索性就用AXI去控制吧,正好還能再復習一遍 ...
有了前面的一堆鋪墊。現在終於開始正式准備讀寫DDR了,開發環境:VIVADO2014.2 + SDK。 一、首先要想在PL端通過AXI去控制DDR,我們必須要有一個AXI master,由於是測試,就不自己寫了,直接用package IP生成,方法如下: 1.選擇 ...
本文設計思想采用明德揚至簡設計法。在高速信號處理場合下,很短時間內就要緩存大量的數據,這時片內存儲資源已經遠遠不夠了。DDR SDRAM因其極高的性價比幾乎是每一款中高檔FPGA開發板的首選外部存儲芯片。DDR操作時序非常復雜,之所以在FPGA開發中用途如此廣泛,都要得意於MIG IP核。網上 ...