這個問題，要從SSD盤的結構說起。SSD盤由控制單元（主控芯片）和存儲元（閃存芯片）兩部分組成。而影響寫入壽命問題，就出在閃存器件上。
1、閃存存儲單元的物理結構中，用氧化物創建一個電場，電子穿過氧化物並儲存電荷，記錄一個電位值，即寫入1位數據，擦除數據會向相反方向發生同樣事件。問題是電子穿過氧化物的次數越多，氧化膜就會變的越弱，最終電場也不能阻止電子的自由活動了，這個單元存儲顆粒就損壞了。
比如一個單元顆粒，可以擦寫1000次；利用多個這些個單元顆粒，組成了100G的硬盤；當你正好寫入100G的數據的時候，這個100G的硬盤，正好每個顆粒被擦寫了1次。個人的SSD硬盤，如果每天能寫滿100G，那1000次的顆粒硬盤，可以用1000天。
平時我們的SSD，寫入是非常少的，為了保證每個顆粒的使用頻度；SSD有一套均衡機制，保證每個顆粒都能被使用到，而且盡可能的使用的平均。 如果100G硬盤，平時只有10G數據，不會只往那10G上寫【與機械硬盤的區別】，否則的話，那10G寫報廢了，豈不是整個硬盤也跟着報廢。
即使硬盤有些數據是始終只讀的，在其它顆粒被頻繁使用后，調度也會做出數據遷移，保證每個顆粒的平均使用度。就是，100G的硬盤，一天寫100G，如果是1000次擦寫的，基本上用3年沒任何問題【理論上的，沒有其它故障原因】。
但是，一天寫100G，基本不可能，所以呢，一個固態硬盤，用個5、6年基本沒問題，跟機械硬盤差不了多謝； 反而是機械硬盤頻繁擦寫固定的位置，反而容易壞道。
2、因此，寫和擦都是會減少氧化膜的壽命的，制造工藝又限制了該膜的厚度，其存儲單元的壽命由此而來。理論值，SLC閃存擦寫壽命10萬次；MLC閃存擦寫壽命1萬次；TLC閃存擦寫壽命500~1500次。
SSD的磨損均衡
上面說過，每個Flash顆粒中Block的可擦除次數是有限制的，如果顆粒中的某些Block很快達到了擦除次數上限，而其他大部分都幾乎沒有被擦除過，則會很快的造成整個SSD失效。而磨損均衡（Wear Leveling）則是通過各種手段，保證整個SSD所有的block的擦除次數是相近的從而延長SSD的使用壽命。
磨損均衡分為 動態磨損均衡 和 靜態磨損均衡：
動態磨損均衡，是指在外部力量的驅動下，自然完成磨損均衡。這里外部力量，包括寫IO和垃圾回收。
靜態磨損均衡，是指磨損均衡功能模塊主動地查找那些長時間沒有變化的數據，將這些數據搬移到其他位置，以便釋放出擦除次數較少的block，使其投入到擦除/編程的循環之中。