CH334U與FE1.1S功能對比

介紹：

CH334U是符合 USB2.0 協議規范的高性能MTT 4 端口 USB2.0  HUB 控制器芯片，高ESD特性，工業級設計，外圍精簡，可應用於計算機和工控機主板、 外設、 嵌入式系統。CH334U與Fe1.1S引腳兼容，刪減部分元器件，或者改變部分元器件參數即可實現PCB兼容設計。

CH334U和FE1.1S參數對比：

	CH334U	FE1.1S
TT模式	MTT	STT
工作溫度	工業級：-40~85℃	商業級：0~70℃
ESD	Class3A，~6KV	Class2，~2KV
過流檢測	GANG模式	GANG模式
功耗@空閑	0.31mA	1mA
功耗@單高速	43mA	57mA
功耗@四高速	84mA	100mA

 

CH334U為工業級HUB，支持-40~85℃溫度工作范圍，具有更高的ESD特性，支持6KV，此外CH334U也有更低的運行功耗，整體功耗降低20%左右，CH334U采用並行MTT結構設計，相較於STT模式，TT模式下USB傳輸帶寬理論提升4倍。

硬件設計對比：      

 

CH334U采用了更高的設計工藝，集成度有了很大提升，對比CH334U和FE1.1S的硬件參考電路，可以看出CH334U元器件更少，外圍更加簡單。

    在實現PCB兼容設計時可以這么做。（本次FE1.1S的圖為FE1.1S Rev.B）

(1) FE1.1S的12腳（VD18_O）和28腳（VD18）如果有退耦電容換成0歐姆的電阻或者直接去掉，CH334U這兩個腳為GND。本圖無需修改。

(2) FE1.1S的14腳（REXT）的對地電阻（R5去除，CH334U 可以節省一顆1%精度電阻。

(3) FE1.1S的17腳（XRSTJ）上拉電阻（R3），建議去掉。CH334U內部有上拉。

(4) FE1.1S的18腳（VBUSM）相連接的電阻電容全部去掉（R4、R2、C8）。CH334U此腳為NC。

(5) FE1.1S的19腳（BUSJ）如果是上拉電阻（R1），可以去除；如果接的是對地電阻，建議修改為4.7K；

(6) FE1.1S的20腳（VDD5）如果中間有串聯電阻或者電感(L2)，可以修改為二極管IN4001等用於保護。退耦電容可將C3，C4，C5刪除。

(7) FE1.1S的21腳（VD33_O）的對地電容（C1）修改為0.47-3.3uF的范圍內，建議1uF,CH334U 可以使用更小容量退耦電容，體積更小，成本更低。

CH334U硬件設計：

完整的CH334U硬件電路設計可以參考下圖，

 

注釋：26腳（OVCUR#）為過流檢測腳，如果不使用過流檢測功能，則該引腳連接10K上拉電阻至VDD33s即可。