2.4 半導體二極管
二極管是半導體,其電阻會隨着溫度的升高而減小
當超過正向壓降時,電流會隨着電壓的增加而快速增長
穩壓管正常工作時工作在反向截止區
二極管最主要的特征是單向導電性,與此相關的兩個主要參數是正向導通壓降UF和反向飽和電流Is
P到N是通的
PN結相當於一個電阻和一個電容相並聯
2.4.1 二極管的結構類型
- 點接觸型(面積小,可通過的電流小;但同時結電容小,可以在高頻下工作):常用於高頻檢波和小功率整流電路
- 面接觸型:常用於低頻整流電路
- 平面型:常用於集成電路
2.4.2 二極管的伏安特性
UT=k/q*T,T=300 K 時,UT=0.026 V=26 m V,
當溫度發生變化時,UT(溫度電壓當量)可能變為27,25等等,基本上還是在26附近,所以認定UT為常數,就是26 m V
UT=26 m V
IS=IR,就是反向飽和電流
硅二極管的開啟電壓(死區電壓)(門坎電壓)為0.5V,導通后的正向壓降為0.7V。
鍺二極管的開啟電壓(死區電壓)(門坎電壓)為0.1V,導通后的正向壓降為0.3V.
擊穿特性
- 熱擊穿(不可逆)
- 電擊穿(可逆)
- 雪崩型
- 齊納型
2.4.3 二極管的主要參數
- 最大整流電流IF——二極管長期連續工作時,允許通過二極管的最大正向平均電流
- 反向擊穿電壓UBR——break,當二極管反向電壓超過一個值時,電流迅速增大
- 最大反向工作電壓URM——二極管制造時,一批不可能一個型號,總有點偏差,就是反向擊穿電壓可能大一點,也可能小一點,安全起見,將反向擊穿電壓的一半作為工作電壓,最好不超過它工作
- 反向電流IR(IS)——一般是指二極管未擊穿時的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級;鍺二極管在微安(uA)級。IR越小,二極管的單向導電性越好
- 溫度系數\alpha_UD ——溫度增加,反向電流增大,正向導通壓降會降低一點(正溫度系數:溫度升高,系數增大;溫度減小,系數減小;;負溫度系數相反)
\[溫度系數\alpha_UD ——溫度增加,反向電流增大,正向導通壓降會降低一點(正溫度系數:溫度升高,系數增大;溫度減小,系數減小;;負溫度系數相反) \]
正向導通電壓UD具有負溫度系數
6.最高工作頻率fM——二極管的上限頻率,由P N結的結電容大小決定。二極管的頻率超過fM時,二極管的單向導電性變差
2.4.4 二極管的等效模型
1.理想模型(直流模型)
完全相當與一個開關,正向時沒有電阻,正向壓降為0,反向電阻無窮大,電流為0
2.恆壓降模型
3.折線化模型
4.小信號模型
2.4.5 二極管的整流電路
2.5 穩壓二極管
穩壓管實質上也是一種二極管,但是通常工作在反向擊穿區
當溫度升高時,穩壓管的穩壓值將增大
2.5.1 穩壓管的伏安特性
動態電阻rZ值愈小,則穩壓性能愈好
2.5.2 穩壓管的主要參數
- 穩定電壓UZ——穩壓管工作時 的電壓,是反向電流突增時的電壓,電壓基本上可以看作不變
- 最小穩定電流IZMIN——反向曲線剛剛擊穿時的電流,也就是電流剛開始突增時的電流,如果電流小於最小穩定電流,則穩壓管不能穩壓
- 最大穩定工作電流IZMAX——最大穩定工作電流取決於最大耗散功率,即IZMAX = PZMAX / UZ
- 最大耗散功率 PZM ——反向工作時PN結的功率損耗為PZM = UZIZMAX**
- 溫度系數——α
二極管正向壓降的溫度系數為-2mV/。C
穩壓管永遠和一個電阻配在一起
穩壓管兩端電壓等於輸出電壓