本文的電路與電源過壓保護電路，PMOS無法關斷的問題探索是一樣的，但其選型不一定合適，這里將參數的選擇進一步做一個說明，之前看到一個觀點：電路都是計算出來的。也就是小到每個電阻電容的值都是經過計算的，這樣自己設計的電路才能了如指掌，知道其優缺點在哪里，才能做到心中有數，當然本人與其相差遠不止十萬八千里，只能是盡量看齊！
先把圖貼出來
1. Q2--開斷輸入輸出電壓
1.1 Id：這里要選擇漏極電流能滿足后級電路要求的，按照降額20%來計算，Id = I/0.8
1.2 Rds：選擇導通電阻小的，幾十毫歐比較好，此值與Vgs有關，Vgs越大導通電阻越小
2. R4--Q2 Vgs分壓電阻
2.1：首先需要知道Q1 PNP的集電極-發射極的飽和導通電壓Vce(bat)
2.2：預估最大的輸入保護電壓VIN(max)
2.3：設定流過R4的電流Ir4(Ic(bat))，根據Q1集電極-發射極對應飽和電壓Vce(bat)下集電極飽和電流Ic(bat)設定
2.4：R4 = (VIN(max) - Vce(bat)) / Ir4(Ic(bat))
2.5：根據W = Ir4*Ir4*R4選擇滿足功率的封裝，功率同樣要預留余量，不然電阻就會燒壞
3. R3--Q2 Vgs分壓電阻
3.1：正常工作時的VIN
3.2：Q2導通時的Vgs，一般選取Rds最小的Vgs
3.3：根據 Vgs = VIN*R4 / (R3 + R4)，計算出R3
3.4：根據 Ir34 = VIN / (R3 + R4)，計算出Ir34
3.5：根據W = Ir34*Ir34*R3選擇滿足功率的封裝，功率同樣要預留余量
4. Q1--控制Q2開斷
4.1：選擇小的集電極-發射極飽和電壓Vce(bat)，需要滿足Vce(bat) < Vgs(th)，此Vgs為Q2的Vgs的閾值電壓，如果不滿足此要求，從原理上分析，即使Q1導通，因為此時Vgs已經達到導通條件，所以無法關閉，起到保護作用
4.2：Vbe(bat)：個人認為沒有特別的講究，一般也就零點幾伏
5. R2--發生過壓時，D1的限流電阻
5.1：得到穩壓二極管D1的穩壓值Vd1.n
5.2：Q1的Vbe(bat)，要與前面的Vce(bat)對應，根據Datasheet中參數或者圖標對應
5.3：預估最大的輸入保護電壓VIN(max)
5.4：與Vce(bat)對應的基極電流Ib
5.5：R2 = (VIN(max) - Vbe(bat) - Vd1.n) / Ib
5.6：根據W = Ib*Ib*R2選擇滿足功率的封裝，功率同樣要預留余量
6. D1
6.1：VIN(ovp)：開始保護的電壓
6.2：Vd1.n = VIN(ovp) - Vbe(bat)
6.3：根據Vd1.n選擇合適的穩壓二極管，其實這里是有點問題的，應該是先確定穩壓二極管，再來確定Q1的參數，當然並沒有固定的順序，更多的是不斷來會調
7. R1--D1的限流電阻，且提供Q1的基極偏置電流
7.1：VIN(ovp)：開始保護的電壓
7.2：Iz：D1穩壓二極管穩定工作時的電流
7.3：R1 = VIN(ovp) / Iz
7.4: 根據W = Iz*Iz*R1選擇滿足功率的封裝，功率同樣要預留余量
針對R1的選擇，可能還有些需要考慮的地方！這里提到的Vgs、Vbe都是指絕對值。