1. IRF540N,N溝道,100V,33A,44mΩ@10V
柵極（Gate—G，也叫做門極），源極(Source—S)， 漏極（Drain—D）
| 漏源電壓（Vdss） | 100V |
| 連續漏極電流（Id）（25°C 時） | 33A |
| 柵源極閾值電壓 | 4V @ 250uA |
| 漏源導通電阻 | 44mΩ @ 16A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 130W |
| 類型 | N溝道 |
IRF540N（NMOS管）應用電路
MOS管由電壓控制，與三極管不同（三極管是電流控制）。說白了，給箭頭方向相反的壓降就是導通，方向相同就是截止
可以在單片機和柵極之間加一個1k的電阻，起到限流作用；
此外，可以柵極和源極之間加一個10k的電阻，一是為場效應管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S
參考 https://www.cnblogs.com/byxzwz/p/10265739.html
2. IRF9540N,P溝道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
| 漏源電壓（Vdss） | -100V |
| 連續漏極電流（Id）（25°C 時） | 23A |
| 柵源極閾值電壓 | 4V @ 250uA |
| 漏源導通電阻 | 117mΩ @ 11A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 140W |
| 類型 | P溝道 |
IRF9540N（PMOS管）應用電路
3. IRF9540,P溝道,-100V,-19A
跟IRF9540N的區別是引腳封裝不同，從原理圖可以看出來，兩個正好是上下顛倒的。
| 漏源電壓（Vdss） | -100V |
| 連續漏極電流（Id）（25°C 時） | 19A(Tc) |
| 柵源極閾值電壓 | 4V @ 250uA |
| 漏源導通電阻 | 200mΩ @ 11A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150W(Tc) |
| 類型 | P溝道 |