帶隙基准


帶隙基准

目的建立一個與電源和工藝無關,具有確定溫度特性的直流電壓或者電流。

在大多數應用中,所要求的溫度關系有以下三種形式:

1、與絕對溫度成正比(PTAT);

2、常數Gm特性即一些晶體管的跨導保持常數;

3、與溫度無關。

因此,設計帶隙基准的問題可以分為兩種:與電壓無關的偏置和溫度變化關系的確定。除了隨電源、工藝、溫度波動引起的性能變化外,基准的其他參數也是關鍵的輸出阻抗、輸出噪聲和功耗

1、與電源無關的偏置

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如上圖12(a)所示,如果Iref不隨VDD變化,並且忽略M2和M3的溝道長度調制效應,那么ID2和ID3就保持與電源電壓無關。對於圖12(b),此電路的輸出電流對VDD很敏感:

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因此我們假定電路必須由自己偏置即Iref必須通過某種方式由Iout得到。如果Iout最終與VDD無關,那么Iref可以是Iout的一個復制。

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為了確定唯一電流值,對電路加入一個約束,如12.3圖所示,Iout=Iref,電阻Rs減小了M2的電流,得到\(V_{GS1}=V_{GS1}+I_{D2}R_S\)

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圖12.3(a)中,如果當電源上電時,所有的晶體管均傳輸零電流,因為環路兩邊的分支允許零電流,則他們可以無限期的保持關斷。所以需要啟動電路,如12.5圖所示。二極管連接的器件M5(須滿足以下條件,確保電路能夠啟動並且能夠關斷)在上電時提供了從VDD經M3,M1到地的電流通路,所以M3和M1,M2,M4都不會保持關斷。

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2、與溫度無關的基准

如果將兩個具有相反溫度系數(TC)以適當的權重相加,那么結果就顯示出零溫度系數。例如·,對於隨溫度變化向相反方向變化的電壓V1和V2,我們選取α1和α2使得α1dV1/dT+α2dV2/dT=0,這樣就得到了具有零溫度系數的電壓基准Vref=α1V1+α2V2

2.1 負溫度系數電壓

雙極晶體管的基極-發射極電壓(Vbe)或者一般說pn結二極管的正向電壓,具有負溫度系數。

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\[I_C=I_Sexp(V_{BE}/V_T) \]

\[V_{BE}=V_Tln(I_C/I_S) \]

從上式可以看出,\(V_{BE}\)的溫度系數本身與溫度有關。

2.2 正溫度系數電壓

如果兩個雙極晶體管在不相等的電流密度(\(I_C/I_S\))下,那么基極-發射極電壓的差值就與絕對溫度成正比。

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2.3 帶隙基准

利用上面得到的正、負溫度系數的電壓,我們可以開始設計一個零溫度系數的基准**\(V_{REF}=α_1V_{BE}+α_2(V_Tlnn)\)\(V_Tlnn\)是兩個工作在不同電流密度下的雙極晶體管的\(V_{BE}\)的差值(\(ΔV_{BE}\))。 **

如圖12.8所示,假設基極電流可以忽略,晶體管Q2是由n個並聯的單元晶體管組成,而Q1是一個單元晶體管,采用某種方法使得Vo1和Vo2相等,所以就會有\(V_{BE1}=V_{BE2}+IR\),即\(RI=V_{BE1}-V_{BE2}=V_Tlnn\),所以就會有\(V_{o2}=V_{BE2}+V_Tlnn\)。也就是說如果讓lnn等於一個合適的值,使得正溫度系數\(V_Tlnn\)去抵消負溫度系數\(V_{BE}\),這樣就得到了一個與溫度無關(零溫度系數)的基准。

圖12.8存在三個問題,首先需要加入一種電路使得Vo1和Vo2相等;其次如果lnn如果值太大,需要通過一定比例增大\(RI=V_Tlnn\);第三,Vo2通過某種方式被強制與Vo1相等,不可能與溫度無關。

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根據放大器的虛短虛斷原理,我們可以使得Vo1和Vo2強制相等,解決了第一個·問題。於是就有了如圖12.9。

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下式為圖12.9的Vref的表達式,可以看出,將R3上的PTAT壓降放大到1+R2/R3倍,再將這個結果加到\(V_{BE2}\)使得\(V_Y\)為零溫度系數被抵消,與溫度無關,這解決了第三個問題。

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CMOS工藝中pnp雙極晶體管的實現

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2.3.1 運放的失調和輸出阻抗

由於不對稱性,運放存在着失調(失調:如果運放輸入為零,輸出電壓不為零)。如圖12.12所示,有\(V_{BE1}-V_{os}=V_{BE2}+R_3I_{C2}和V_{out}=V_{BE2}+(R_3+R_2)I_{C2}\),於是就有了以下式子,可以看出Vos本身隨溫度變化,因此增大了輸出電壓的溫度系數。

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圖12.12的Vos到Vout的小信號增益為:

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為了減小運放失調,我們可以定性分析,從式12.33看出,我們可以通過降低Vos在Vout的占比,增大\(V_{BE2}或者減小V_{os}在式子中的(V_Tlnn-V_{os}中)的比例\)來減小失調對於·Vout的影響。於是就有了圖12.13.通過兩個pn結串聯,使得\(V_{BE}\)相對於之前增加了一倍;將\(I_{C1}/I_{C2}=m,使得ΔV_{BE}=V_Tln(mn)\)。最后,運放采用大尺寸器件並仔細選擇版圖布局使得失調最小。

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圖12.13的Vref如以下式所示,失調電壓的影響通過減小Vos在Vout的比例而減小了。

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運放需要兩個驅動電阻支路,因此必須提供低的輸出阻抗,要想基准穩定,就必須負反饋系數大於正反饋系數。

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4、PTAT電流的產生

在帶隙電路的分析中,雙極晶體管的偏置電流實際上是與絕對溫度成正比。

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5、恆定Gm偏置

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6、速度與噪聲問題

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7、低壓帶隙基准

前面所示的帶隙基准電壓是通過將\(負溫度系數V_{BE}\)與一個正溫度系數\(V_Tlnn/R\)相加,來獲得零溫度系數,因此難以在低電源電壓下實現。考慮將兩路分別具有正溫度系數和負溫度系數的電流相加,再將結果轉換為具有零溫度系數的任意電壓值,如圖12.31所示。

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此外,因為\(V_{BG}是有電阻比值R4/R2\)確定的,所以帶隙基准電壓可以為任意值。

圖12.32(c)的輸入失調電壓為

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8、實例分析

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