https://www.cnblogs.com/yeungchie/
MOSFET
線性區（三極管區，\(V_{DS} \leq V_{GS} - V_{TH}\))
\[I_{D} = \mu_{n} C_{ox} {W \over L} [(V_{GS} - V_{TH}) V_{DS} - {1 \over 2} V_{DS}^2] \]
\(\mu_{n} C_{ox}\) 是一個常數，與工藝相關，單位 \(A / V^2\)
-
延伸 1
\(\mu_{n} C_{ox} = \mu_{0}{\epsilon_{ox} \over t_{ox}}\)- \(\mu_{0}\) 為載流子遷移率
- \(\epsilon_{ox}\) 為 \(SiO_{2}\) 介電常數：\(3.9 \times (8.85 \times 10^{-12}) F/m\)
- \(t_{ox}\) 為柵氧厚度
-
延伸 2
\(\epsilon_{ox} = {\epsilon_{0} \times \epsilon_{r}}\)- \(\epsilon_{0}\) 為真空絕對介電常數： \(8.85 \times 10^{-12} F/m\)
- \(\epsilon_{r}\) 為 \(SiO_{2}\) 的相對介電常數值：\(3.9\)
在 \(V_{DS} = V_{GS} - V_{TH}\) 時，\(I_{D}\) 達到峰值：
\[I_{D\_max} = {1 \over 2} \mu_{n} C_{ox} {W \over L} (V_{GS} - V_{TH})^2 \]
而當 \(V_{DS} << 2(V_{GS} - V_{TH})\) ，則\({I / V}\)特性曲線會更加接近直線，不考慮 \({1 \over 2} V_{DS}^2\)，則有：
\[I_{D} = \mu_{n} C_{ox} {W \over L} (V_{GS} - V_{TH}) V_{DS} \]
此時稱為深三極管區，如一個可控的線性電阻，導通電阻為：
\[R_{DS\_on} = {1 \over \mu_{n} C_{ox} \ \ {W \over L} \ (\ V_{GS} - V_{TH}\ \ )} \]
飽和區（\(V_{DS} > V_{GS} - V_{TH}\))
飽和區顧名思義 \(I_{D}\) 不再增大，但實際還是會增大的，只是 \(I_{D}\) 隨着 \(V_{DS}\) 的變化會變得非常緩慢而相對恆定。
\[I_{D} \approx I_{D\_max} = {1 \over 2} \mu_{n} C_{ox} {W \over L} (V_{GS} - V_{TH})^2 \]
隨着 \(V_{DS}\) 繼續增大反型層會在達到 Drain 端前終止，表現為 \(L_{eff} < L\)。