https://www.cnblogs.com/yeungchie/
MOS管就像一個開關，柵極(Gate) 決定 源極(Souce) 到 漏極(Drain) 的 溝道(Channel) 是開還是關。
以NMOS為例，圖中綠色代表（N型）富電子區域，黃色代表（P型）富空穴區域。P型和N型交界處會有一層耗盡層分隔（也叫空間電荷區，如圖中白色分界所示）。
\(V_{T}\) 是開關的閾值，超過閾值就開，低於閾值就關。柵電壓越大，下方吸引的電子越多，形成的溝道就越深。柵與溝道之間有氧化層隔離。在源漏沒有電壓時溝道寬窄是一樣的，這很好理解。
當漏極電壓升高，柵極靠近漏極的相對電壓就小，因此溝道受其影響寬窄不同。由於電流是連續的，所以窄的地方電流密度大，這也好理解，如下圖所示。這是源漏電流 \(I_{DS}\) 隨其電壓 \(V_{DS}\) 增大而線性增大的 線性區。
要注意的是，這時柵極電壓絕對值並沒有降低，靠近漏極溝道變窄的原因，是柵極的影響力部分被漏極抵消了。一部分本來可以柵吸引形成溝道的電子，就被漏極正電壓拉過去了。
當漏極電壓繼續升高，如果超過柵電壓，造成溝道右邊不滿足開通條件而 夾斷。之所以出現夾斷點，是因為在這個點，柵極對電子的吸引力被漏極取代。這時候 MOS 管進入 飽和區，電流很難繼續隨電壓增大。
既然這時候溝道夾斷了，不是應該截止了嗎？為什么還會繼續有電流？
原因是雖然理論上溝道已經 夾斷，但這個夾斷點很薄弱。為什么說它薄弱？因為夾斷點后面支撐它的不是原來P型區域，而是電壓升高更吸引電子的漏極及其 空間電荷區 。因此電子沖入空間電荷區，就相當於幾乎沒有阻擋的 准自由電子 快速被漏極收集。如圖3所示。
可以想象，隨着靠近漏極的溝道越來越細，很多高速的電子沖過來，一部分擠過夾斷點進入空間電荷區，然后被漏極正電場高速收集（形成示意圖中紫色電流）。漏極電壓越高，夾斷點越后退，造成電子越難穿越，因此飽和區電流不再隨電壓增大而線性增大，畢竟不是所有電子都能沖過夾斷點。源漏電流電壓曲線下圖所示。
當然，如果漏極的電壓繼續上升，它的空間電荷區持續擴張達到源極，那么源極的電子就會不受溝道和柵壓的控制，直接經過空間電荷區高速到達漏極，這就是源漏直接穿通了，這時 MOS 管也就直接損壞了。
內容來自百度。