一、原理圖
驅動原理圖，因為突然回顧以前做過的這個驅動電路，所以記錄一下防止遺忘。以下只列出以下主要電路：
二、化簡電路再做分析的前提
前提，我們先明確以下知識點，再來把無關器件省略掉，分析主干電路。
MOS管導通的實質是對GS結電容充電，在上圖所示的原理圖我在G級串聯一個電阻是為了限制充電速度，防止充電過快產生震盪。
柵極電阻一般串聯一個10歐左右的電阻，GS級之間一般並聯一個10K的電阻用來關斷期間結電容的放電。
與MOS管並聯的二極管是不必要的，因為MOS管內部集成了二極管，即體二極管。
在不考慮串聯的10歐姆左右的電阻以及GS級並聯的10K歐姆的電阻，還有MOS管外面另外並聯的二極管，電路簡化至下圖作分析：
三、分析一下自己的理解
< 1 > 引腳說明
< 2 > MOS管的高端驅動和低端驅動
所謂的高邊驅動或者低邊驅動，指的是在電子電路驅動負載時，當需要控制開關時，開關所處電路的位置。“高”指的是“電源”，“低”指的是“地”。
低邊驅動簡單的理解為：負載的一端默認與電路的正級即電源保持連接，負載的另一端與開關連接，當開關導通時，負載的另一端與地連接，負載開始工作，當開關與關斷時，負載的另一端與地斷開，負載停止工作。低邊驅動/開關英文：Low Side Drivers，簡稱為LSD。具體到使用MOS管作為開關的情況的時候，MOS管相對於負載在電勢的低端，其中D通過負載接電源，S直接接地。
對於NMOS管，只有當Vgs大於開啟電壓時，MOS管才能導通。所以當未導通時，S處於一個不能確定的電位。若讓Vgs大於開啟電壓，則DS導通，S確定為地電位，此時仍可以保證Vgs大於開啟電壓，保持DS導通。
對於PMOS管，只有到Vgs小於一個值，MOS才能導通。此時S處於一個不確定的電位。若讓Vgs小於開啟電壓，即使導通了，S確定下降到地電位，就不能保證Vgs小於開啟電壓。
高邊驅動簡單的理解為：負載的一端默認與電路的負級即地保持連接，負載的另一端與開關連接，當開關導通時，負載的另一端與電源連接，負載開始工作，當開關與關斷時，負載的另一端與電源斷開，負載停止工作。高邊驅動/開關英文：High Side Drivers，簡稱為HSD；具體到使用MOS管作為開關的情況的時候，MOS管相對於負載在電勢的高端，其中D直接連接電源，S通過負載接地。
對於NMOS，只有當Vgs大於開啟電壓時，MOS管才能導通。所以當未導通時，S處於一個不能確定的電位。即使讓Vgs大於開啟電壓，DS導通后，DS電位相等，同為電源電位，除非G極電位比電源電位還高，則不能保持導通狀態。
對於PMOS，只有到Vgs小於一個值，MOS才能導通。此時S處於一個不確定的電位。若讓Vgs小於開啟電壓，使DS導通，DS同為電源電位，還是能保持Vgs小於開啟電壓，是MOS保持導通狀態。
總結：PMOS適合作為高端驅動，NMOS適合作為低端驅動。但是由於工藝等各方面的原因。在大電流情況下，通常仍把NMOS作為高端驅動。於是，為了保證高端驅動的NMOS的Vgs保持大於開啟電壓。我們會使用半橋驅動芯片。半橋驅動芯片把高端驅動的NMOS的S極作為參考地，輸出一個恆定的開啟電壓，來控制MOS的導通。
< 3 > 電機驅動電路分析
如上圖所示電機驅動原理圖，我采用的是HIP4082全橋驅動芯片。將高端驅動的NMOS作為參考地。
因為我們是用的是NMOS管，所以當Ugs的電壓大於開啟電壓，MOS管才被導通，而我在此處采用的自舉的方式，輸出一個恆定的開啟電壓，來控制MOS管導通。
下面解釋一下，在HIP4082驅動芯片這邊的自舉電路原理：
首先BHS引腳里的HS指的是High S極，也就是上管Q5的S極，可以看到此處下管Q7的S極是接地的，所以如果下管Q7處於導通狀態的時候，BHS引腳，也就是上管Q5的S極就相當於接地了，這時BHS的電壓也就是上圖Q5的S極的電壓。
這個時候，外部電源通過自舉二極管向自舉電容充電。
在處於目前下管Q7導通，上管Q5關閉的狀態的時候，此時外部電源通過二極管和自舉電容給電容充電，然后BHB和BHO引腳處於短接狀態，此時上端MOS管Q5導通。
我們先假設這里C10充滿電就是12V，因為BHB和BHO短路，此時自舉電容充的電就通過BHS舉給了BHO，所以BHB和BHO的電壓是一樣的。然后此時Q5的S級接地，忽略掉R13的時候電壓約為12V，相當於Vgs之間是接了一個恆定的電壓來保持這里NMOS管的必然導通。此處就是通過自舉出來一個恆定的電壓來確保Vgs的電壓大於MOS管的導通電壓解決了上面提到的當NMOS為高端驅動時的導通狀態不確定的問題。
經過以上環節之后，上管Q5導通，下管Q7關閉，此時BHB和BHO就不處於短接的狀態了，由於電容充滿電了，BHB的電壓是比BHS的電壓高的。此時我手繪了一下電路如下圖：
以上就是自舉電路的原理。
值得注意的是：
正是因為這里自舉電容只能在下管Q7導通的時候充電，所以一般的NMOS橋驅動都不能輸出百分之百的占空比。你可以這么理解，就是此時電容里的電是維持上管Q5持續導通的，比如我假設的這里電容充滿電之后電壓是12V，但是總有時候電容里的電是會放光的，此時自舉電容電沒了就舉不動了，這個時候上管Q5就關閉了，而這個過程是慢慢的，可能會導致上管的G極電壓出現非飽和區和截止區，造成上管gg，所以一般限制占空比最高在 95% 到 98%95\%\ 到\ 98\%95% 到 98% 。然后上管Q5關閉之后，Q7導通，繼續給電容重新充電。然后循環這個過程。
上圖只是我們使用的某一款驅動芯片，下面列出的是通用解釋自舉電路內部原理的圖，其中Vbs（驅動電路Vb和Vs管腳之間的電壓差）給集成電路高端驅動電路提供電源。該電源電壓必須在10-20V 之間，以確保驅動集成電路能夠完全地驅動MOS柵極器件。Vbs電源是懸浮電源，附加在Vs電壓之上（Vs通常是一個高頻的方波）。有許多方法可以產生Vbs懸浮電源，其中一種如本文中介紹的自舉方式。這種方式的好處是簡單、低廉，但也有局限性。占空比和開通時間受限於自舉電容的再充電（長時間導通和大占空比時要求有充電泵電路支持，詳見AN-978C了解）：
對於含有自舉電路的PCB布板方法，需要注意自舉電容要盡可能靠近IC的管腳。如下圖所示，至少有一個低ESR的電容提供就近耦合。例如：如果使用了鋁電解電容做為自舉電容，就應再用一個瓷電電容。如果自舉電容是瓷電或鉭電容，自己作為就地耦合也就足夠了。
< 4 > 具體到通過PWM控制電機占空比
首先列出HIP4082芯片引腳的真值表：
首先看看DIS引腳，這個引腳的作用是控制芯片是否工作的。我當初接的是低電平，也就是芯片一直保持工作。但是它也可以接一個IO口，讓GPIO輸出高電平或者低電平來控制芯片是否工作。
再看BHO和BLO的引腳，我的理解是，B表示這個芯片控制的其中一個半橋的引腳開頭字符，A就是另外一個半橋引腳的開頭字符，H(high)表示的上管，L(low)表示的是下管，O表示的是ON，也就是打開的意思。通過真值表我們可以看到，這里以B開頭的半橋引腳為例：
當BLI為高電平的時候，意思也就是比如我現在給的 90%90\%90% 的占空比，他處於高電平的那段時間，此時無論BHI接的什么電平，此處接的是12V高電平，這個時候下管是關閉的，上管是導通的，也就是這段時間用來給電機以 90%90\%90% 的占空比輸出。
當BLI為低電平的時候，也就是 90%90\%90% 占空比的另外 10%10\%10%處於低電平的時間段，若BHI為高電平的時候，此時上管關閉，下管導通，也就是這段時間去給自舉電容充電。
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