以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash（如上圖）以4個扇區（sector）組成1個頁（page），64個頁(page)組成1個塊（block），4096個塊(block)構成整個Flash存儲器；由於每個扇區的容量是512 字節（bytes)，整個Flash容量為4224M Bit（相當於528M字節），去掉備用區域用於存放ECC數據校驗16M（虛線部分），就是這個片子的容量512M字節。其他型號的Flash也是同樣由扇區組成頁、由頁組成塊、塊組成整個存儲設備，只是扇區、頁、塊的數量多少有區別而已。
在Flash的生產制造過程中，由於生產工藝的缺陷，很容易在Flash中產生不能使用的壞區域，如果在U盤中要使用這樣的Flash，就必須使用所謂的“量產工具”；U盤量產工具其實就是一種集壞區域掃描和Flash管理系統裝載於一身的工具。常規U盤主控的掃描是以塊為單位，掃描即往每一個塊里寫入數據，然后將讀出的數據與寫入的數據比較，如果數據有誤則把該塊標為“壞塊”。掃描完成后就是將Flash管理系統裝載到Flash里面，Flash管理系統就會利用掃描產生的壞塊表對整個Flash進行讀寫管理，這樣就完成了整個量產動作，U盤也就可以正常使用了。所以U盤顯示的容量與實際所用的Flash容量差異來源於不能存儲信息的壞塊和Flash管理系統的占用塊。壞塊越多，做出的U盤容量越低；而Flash管理系統占用的塊是沒有辦法避免，就像我們的電腦安裝操作系統要占用硬盤空間一樣。
當然這里還涉及到一個ECC糾錯能力的問題，假設對這個Flash進行掃描的定義的ECC糾錯能力為1bit，只有數據出現超過1bit錯誤的塊才會被標記為壞塊。這個時候需要區分塊糾錯和扇區糾錯的差別，假設任何一個塊里有任何一個扇區（512bytes）存在超出1bit的錯誤，常規主控在掃描的時候就會判斷整個塊為壞區域，這樣將損失整個塊128Kbytes的容量；但是當使用扇區糾錯的主控時，同樣1bit ECC糾錯，他會直接去判斷這個塊里哪些是超出1bit錯誤的扇區，從而將其剔除，損失的只是每個真正有錯誤扇區的512bytes容量，從而保留了其余沒有錯誤的扇區，這樣Flash的利用率可以得到極大的提高。
（2） 初始化用的命令序列
（3）NAND的驅動程序
所謂Nand flash的驅動也就是對Nand flash controller編程（發送命令/寫寄存器都是同樣的意思）。驅動程序的結構大同小異，區別在於每家芯片的Nand flash controller的設計不同，所以對controller的編程的部分是不同的。對於硬件ecc來說，基本的驅動包括下述功能：擦除block、讀寫page、ecc判斷、壞塊標識、讀取Nand狀態、等待Nand、復位Nand、初始化等；初始化中要開辟驅動程序需要的memory，設置工作模式（page大小、block大小、時鍾頻率、ecc模式等），和對函數指針賦值。
驅動是分層的，以上是最底層的chip的驅動，是為了上層MTD服務的。以讀page為例：
chip->cmdfunc(MTD, NAND_CMD_READ0, 0x00, page);//先發讀命令，由controller將讀命令發給nand flash
chip->ecc.read_page(MTD, chip, buf);//然后讀取數據
其它
erase block region：里面含有1個或多個block,它們的大小一樣 ，
一個nor flash 含有1個或多個region，一個region含有1個或多個block（扇區）扇區是sector,這里寫成block，是因為手冊上寫的，因為不同的nor flash有的是block 有的是sector.
nor flash: 擦除是以扇區為最小擦除單位，
nand flash差不多，就是nand 位寬為8，還有是A0---A0,以block為最小的擦除對象。
韋東山nand nor學習筆記
https://segmentfault.com/a/1190000020325929
https://segmentfault.com/a/1190000020379729
https://www.cnblogs.com/cheyihaosky/p/11932214.html