最后我們再來看一下混合π(Pi)模型，其主要用於高頻分析，這里我們大致了解一下，等以后講頻率響應時還會碰到。混合π模型的等效電路如下：
圖4-11.01
下面我們大致看一下混合π模型中的一些新出現的參數：
1. π模型的電阻
混合π模型中出現了一些以前我們沒見過的小信號交流電阻，下面我們逐一介紹：
● rπ：
電阻rπ就相當於我們在re模型中的βre，下標π主要是為了表示這是π模型。
● ro：
電阻ro就相當於我們在re模型中的輸出電阻ro，一般其值為5kΩ~40kΩ左右。
● rb：
電阻rb主要是由於BJT的工藝結構產生，包含：基級接觸電阻、基級體電阻、基級擴散電阻。rb的值一般在幾歐到幾十歐左右。
● ru：
電阻橫跨在ru基級和集電極之間（下標u的含義是：union），它在輸出和輸入之間建立了一個反饋通路。ru的阻值一般在兆歐級以上，在大多數情況下可視為開路。
2. 新增電容
混合π模型相比於re模型最主要的變化是考慮了一些BJT晶體管原生的寄生電容的影響，這些電容值一般都比較小，故在中低頻時可視為開路，但高頻分析時就不能忽略它們的影響了，下面逐一介紹：
● Cπ：
Cπ的值不大，一般在幾個pF到幾十pF左右，但它的位置比較關鍵，直接並聯在輸入電阻rπ兩端，故在高頻時，會分流掉本應流經rπ的大部分電流，使得交流放大倍數大幅減小。
● Cu：
Cu的值也不大，一般在幾個pF左右，但是它橫跨在輸入端和輸出端之間，會產生密勒效應而影響高頻性能。關於密勒效應我們在后面的頻率響應章節再詳細講。
3. 近似為re模型
在混合π模型中，將rb近似視為0，將ru近似視為無窮大，並且不考慮Cπ和Cu的影響，就可近似等效成我們前面分析過的re模型，如下圖所示：
圖4-10.02
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