我們看下圖可以得到對於TE基模在YZ平面的場分布，橫向是Y。縱向是X，我們以環和波導靠近的地方作為6點鍾，此位置關於豎直方向對稱的位置為12點中位置。我們會發現首先TE基模是沿着徑向方向的。然后Ez在3點鍾和9點鍾比較強，在6點和12點比較弱；如果我們有條件畫出Ey在yz平面的場分布，我們就會發現，Ey在3點鍾和9點鍾比較弱，在6點和12點比較強，
所以綜合的電場模normE就是比較平均的：
因此只要搞清楚電場Ex,Ey,Ez，normE(電場模)場分布的影響，看懂了這些不需要看磁場就能明白基本上所有的場分布知識。
下面這種情況可能就是由於直波導寬度減半（直波導寬度變化太大了錯過了最優窗口，以后調節波導結構變化應該在注意：波導尺寸變化10nm就會看到影響，變化波導尺寸的20%就會變化很明顯了，已而且變化20%可能就已經錯過了最好的結果調過火了。）導致光在微環內激發了高階模。
