GDSII是一種標准版圖描述語言，采用二進制格式記錄版圖幾何圖形、拓撲關系、結構、層次以及信息，文件一般以.gds做后綴。
technology file 工藝技術文件，內容一般包括圖形定義及顯示信息、互連線工藝和通孔工藝信息。.tf
設計規則檢查DRC 將版圖中所有幾何圖形與設計規則規定的尺寸、間距進行比較，並將所有違反規則的地方通過EDA工具以醒目標識反標到版圖中告訴設計者。
電路規則檢查LVS 主要目的是驗證版圖與電路原理圖的電路結構是否一致。
完整的工藝庫里面的單元可以分為三類：標准單元、模塊宏單元、輸入輸出單元IO pad cell。
芯片與印刷電路板通信的結構電路統稱為IO電路，作為芯片與外界通信的接口必須具有較大的驅動能力，抵御靜電放電的能力以及足夠的帶寬和過電保護功能，種類包括：輸入io、輸出io、雙向輸入輸出io、供電io、接地io。
io的組成大致可分為三部分：pad接口、信號緩沖電路、靜電保護電路；下圖是smic180工藝提供datasheet里描述的io pad。輸入緩沖電路的主要作用是將外部電壓轉換為芯片內部信號電壓，還可以過濾輸入噪聲。
特殊的標准單元：
填充單元、電壓鉗位單元、二極管單元、時鍾緩沖單元、延時緩沖單元、阱連接單元、電壓轉換單元、隔離單元、開關單元
去耦單元，當電路中大量單元同時翻轉時會導致充放電瞬間電流增大，使得電路動態供電電壓下降或者地線電壓升高，引起動態電壓降IR-drop。為了避免動態電壓降對電路性能的影響，通常在電源和地線之間放置由MOS管構成的電容，被稱為去耦電容或去耦單元decap cell，它的作用是在瞬態電流增大、電壓下降時向電路補充電流以保持電源和地線之間的電壓穩定。
物理庫交換格式LEF文件，c家是這樣，s家可以轉換為xxx，定義單元的物理信息。
器件延時：
信號通過一個邏輯門所經歷的時間，反映了門對輸入信號變化響應的快慢，也稱作傳播延時。數集書上有計算公式。
在DC中，是采用非線性延時模型去估計的，參數有輸入翻轉延時（信號斜率）和輸出負載（電容）。
靜態功耗：
動態功耗：翻轉功耗
時序庫lib、天線效應
布圖規划floorplan：布局包括對標准單元、io單元、block的規划，標准單元部分包括掃描鏈重組；
布圖規划主要內容包含了對芯片大小die size、io、macro的規划，
需要的准備數據
io單元的類型和布局
類型有：
布局：
數字供電io單元分為兩組，一組給核內的標准單元供電，一組給io單元供電。下面是smic180的io供電單元：
供電單元數量的確定：
供電單元位置的擺放：
展平設計與層次化設計
展平式物理設計：
硅虛擬原型設計
層次化物理設計
芯片面積die size
布線軌道：芯片內部專門用於布線的路徑
布線通道：每兩條或多條布線軌道的空間，他們上面不可以擺放標准單元
模塊block：為層次化設計中從頂層分割而成的子模塊，每個子模塊可以包含一個或多個邏輯模塊module。
當每個子模塊實現了布局布線並滿足時序要求后，可以產生自己的物理單元和時序單元，這時它就成為一個硬核模塊。
電源規划powerplan
給整個芯片的供電設計出一個均勻的網絡。
電源環線與電源條線：
電源網絡設計：
LEF文件：包括CEL、FRAM文件夾
電源環線：
電源網格：
smic180 smic18_6lm.tf文件里指明的pitch如下，每一層金屬的pitch不一樣，via也有pitch
布局