版本一：
DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存儲器，最常見的應用場景是電腦和手機的內存，是目前的電路系統中不可或缺的重要組成部分，本文會細致且較為形象的說明DRAM存儲數據以及讀取數據的全過程。
1. 單管構成的DRAM最小單元
單管DRAM是目前大容量存儲器唯一的選擇方案。電路構成上包括一個讀寫開關管和一個存儲電容器，如下圖所示。利用存儲電容器存儲數據，如果存儲電容器上存有電荷，則表示存儲單元存儲1，否則存儲O。
首先，要知道兩個前提：其一，施加到存儲電容上的電壓為1/2的電源電壓（Vcc/2）；其二，由於電子是帶負電荷，因此，電子越多處電勢就越低。為了便於理清概念，我們把水庫頂部電勢定為0V，水庫底部的電勢定為Vcc。
存儲單元的三個基本操作
三個基本操作分別是存儲資料，寫入資料以及讀取資料三種。同樣，便於理解，將這三種過程用水庫存儲放掉水來類比，稍微形象一些。
存儲資料
資料存儲的示意圖如下所示，也就是當水庫閘門關閉時（行地址線路Vth=0V），水庫中的水無法流出，上游的水也無法流入，存儲在水庫中的水位保持不變，因此可以實現存儲資料的目的。水位的高低就用高低電平來表示。
寫入資料
資料的寫入可以分為寫入“0”的情形和寫入“1”的情形兩種。以寫入0的情形來說明。
具體順序是：首先，由於之前可能有資料，水庫中可能是滿水或者缺水空水的的狀態。然后，將上游水道（列地址選路）中水位上升到滿水，相當於低電位狀態（列地址線路Vcc=0V）。最后，利用行地址線路控制（Vth=高電平）將上游水閘門打開，由於上游水道（列地址線路Vcc=0V）水位全滿為高水位狀態，因此根據水庫中水位狀態，會將水池填滿，使得水庫變為高水位（低電平狀態0）。
類比，貨物過運河水閘的情形也非常容易理解，大家自行腦補。
讀取資料
DRAM存儲單元中讀取資料時，一般使用的列地址選路1/2VCC預充電技術。以讀取0為例。
首先，水庫中水位全滿（電位0V）,水道中水位先預設在2.5V；然后，打開水閘，也就是行地址線路為高電平，使得水庫中的水回流到水道（列地址線路）中，由於水庫中水量很小，因此只能使得水道中水位微幅上升。當感應放大器檢測到水道的水位產生delta的變化時，就可以辨別出水庫（電容）中資料為0。
其中，水位的變化為：delta=5/2(1+Cb/Cs)，水道（列地址線路）的電容量大於水庫（行地址線路）的容量。具體過程遠比這復雜，但是通過這種類比可以了解到工作原理，夠用了。
哦，對了，差了忘記了，如果沒有外界水道中的水來補充水庫，那么水庫中的水位由於蒸發、滲透，水量會慢慢減少，最后干涸。因此，原理圖中電容也是一樣，需要隔一段時間檢測刷新，充電，這就是動態的根本原因。
版本二：
MOSFET的控制原理——水庫模型
要說明這個MOSFET的控制原理，我們借助一個水庫的模型來說明。MOSFET有三個極，分別是源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。下圖左邊就是一個MOSFET的電路圖，右邊是我們畫出的一個水庫模型。
圖中S為源極，D為漏極，G為柵極。S極連接着電容，D級連接列地址線路，並接到數據IO，G則是控制電荷流出的閥門，連接行地址線路。電容在充電后電勢會改變，這樣S極的電勢就會跟着改變，與D極形成電勢差，而G極的電勢，就決定了S極有多少電荷可以流入D極。由於電子是帶負電荷，因此電子越多電勢就越低。為了不至於混淆概念，我們把水池頂部電勢定為0V，水池底部電勢定為5V（僅舉例說明，DRAM中的電容實際電壓未必是5V）。當電子數量越多時，電勢越低，接近0V，電子數量越少時，電勢越高，接近5V。
用水庫模型說明，就是左邊的水池水量升高（電容充電后），當閥門關閉時，左邊的水是不會往右邊流的。然后閥門打開（降低，電勢升高），左邊的水就可以往右邊流，閥門的高度就決定了有多少水能流去右邊的水道（但是在數字電路中，MOSFET只有開和關兩種狀態，因此下文提到的打開MOSFET就是全開）；同樣道理如果右邊水多，閥門打開之后也可以向左邊流。因此在水庫模型中，電容就充當了左邊的水池，而MOSFET的柵極就充當了閥門，列地址線路和IO則充當了右邊的水道。
儲存數據
MOSFET柵極電勢為0V時，電容的電荷不會流出，因此數據就可以保存我們可以用2.5V為參考分界線，電容電勢低於2.5V時，表示數據0，電勢高於2.5V時，表示數據1。例如上一樓水庫模型的左圖，電容中儲存的電子數高於一半的高度，電勢低於2.5V，因此可以表示數據0。但以上只是理論情況，實際上電容會自然漏電，電子數量會逐漸減少，電勢就會逐漸升高，當電勢升高到2.5V以上時，數據就會出錯，因此每隔一段時間必須打開MOSFET往電容中充電，以保持電勢，這就是刷新。因此，數據的儲存主要就是對電容中電勢的保持操作。
寫入數據
數據寫入的操作分為寫入0和寫入1兩種情況。寫入前，電容原有的情況可能是高電勢與低電勢的狀態，我們不用管它。寫入0和寫入1對cell的操作不盡相同，我們分別來看。
先來看寫入0的操作。寫入開始時，IO線路上電勢為0（水道處於水位最高點），MOSFET柵極電勢升高到5V（水庫閥門降到最低），閥門打開，電容中的電勢就跟着降低（水位升高），直到接近0V（水池被灌滿），寫入0完成，柵極電勢降回0V，閥門關閉。
再看寫入1的操作。寫入開始時，IO線路上的電勢為5V（水道水位為最低點），MOSFET柵極電勢升高到5V（水庫閥門降到最低），閥門打開，電容中的電勢跟着升高（水流出並降低水位）到接近5V，寫入1完成，柵極電勢回到0V，閥門關閉。
讀取數據
讀取的時候，對漏極的電壓操作跟寫入有些不同。因為水道中的水比水池中的多，或者說水道的容量比水池要大得多。如果水道（漏極）的水為滿或者空，在閥門打開的時候很容易出現水道的水倒灌進水池的現象，或是水池的水全部流去水道，這樣就有可能導致電容中的電勢狀態改變，電容對應儲存的0或者1也會改變。所以讀取數據的時候，IO線路的電壓應為1/2的滿電勢，即2.5V。
讀取也同樣分讀取0和1兩種情況。在讀取之前，電容中的電勢應該是大於或者小於2.5V的，分別代表存儲了1和0。由於刷新機制的存在，應該不會允許出現等於2.5V的情況。
首先看讀取0操作。電容中為低電勢（假設為0V，水池為高水位），IO線路上電勢升高至2.5V（這時水道水位比水池低），MOSFET柵極電勢升高到5V（水庫閥門降到最低），閥門打開，電容中電勢升高（水位降低），但由於水道容量較大，因此水位不會升高太多，但是總歸也會有個電勢的變低，最終電容與IO線路上的電勢都變成0-2.5V的一個中間值，並且接近2.5V（假設為2.3V）。這時候感應放大器檢測到IO線路上電勢低於2.5V，因此識別出0讀出。
再看讀取1操作。電容中為高電勢（假設為5V，水池空），IO線路上電勢升高至2.5V（這時候水道水位比水池高），MOSFET柵極電勢升高到5V（水庫閥門降到最低），閥門打開，電容中電勢降低（水位升高），但由於水道容量較大，水位不會降低太多，不過多少也會降低一點（電勢會升高），假設升高到2.7V。這時候感應放大器檢測到IO線路的電勢高於2.5V，識別出1讀出。
以上講述的只是從cell到內存IO線路的讀寫操作，至於CPU-IMC-內存的讀寫操作，不在本文討論范圍。