版本一：
DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存储器，最常见的应用场景是电脑和手机的内存，是目前的电路系统中不可或缺的重要组成部分，本文会细致且较为形象的说明DRAM存储数据以及读取数据的全过程。
1. 单管构成的DRAM最小单元
单管DRAM是目前大容量存储器唯一的选择方案。电路构成上包括一个读写开关管和一个存储电容器，如下图所示。利用存储电容器存储数据，如果存储电容器上存有电荷，则表示存储单元存储1，否则存储O。
首先，要知道两个前提：其一，施加到存储电容上的电压为1/2的电源电压（Vcc/2）；其二，由于电子是带负电荷，因此，电子越多处电势就越低。为了便于理清概念，我们把水库顶部电势定为0V，水库底部的电势定为Vcc。
存储单元的三个基本操作
三个基本操作分别是存储资料，写入资料以及读取资料三种。同样，便于理解，将这三种过程用水库存储放掉水来类比，稍微形象一些。
存储资料
资料存储的示意图如下所示，也就是当水库闸门关闭时（行地址线路Vth=0V），水库中的水无法流出，上游的水也无法流入，存储在水库中的水位保持不变，因此可以实现存储资料的目的。水位的高低就用高低电平来表示。
写入资料
资料的写入可以分为写入“0”的情形和写入“1”的情形两种。以写入0的情形来说明。
具体顺序是：首先，由于之前可能有资料，水库中可能是满水或者缺水空水的的状态。然后，将上游水道（列地址选路）中水位上升到满水，相当于低电位状态（列地址线路Vcc=0V）。最后，利用行地址线路控制（Vth=高电平）将上游水闸门打开，由于上游水道（列地址线路Vcc=0V）水位全满为高水位状态，因此根据水库中水位状态，会将水池填满，使得水库变为高水位（低电平状态0）。
类比，货物过运河水闸的情形也非常容易理解，大家自行脑补。
读取资料
DRAM存储单元中读取资料时，一般使用的列地址选路1/2VCC预充电技术。以读取0为例。
首先，水库中水位全满（电位0V）,水道中水位先预设在2.5V；然后，打开水闸，也就是行地址线路为高电平，使得水库中的水回流到水道（列地址线路）中，由于水库中水量很小，因此只能使得水道中水位微幅上升。当感应放大器检测到水道的水位产生delta的变化时，就可以辨别出水库（电容）中资料为0。
其中，水位的变化为：delta=5/2(1+Cb/Cs)，水道（列地址线路）的电容量大于水库（行地址线路）的容量。具体过程远比这复杂，但是通过这种类比可以了解到工作原理，够用了。
哦，对了，差了忘记了，如果没有外界水道中的水来补充水库，那么水库中的水位由于蒸发、渗透，水量会慢慢减少，最后干涸。因此，原理图中电容也是一样，需要隔一段时间检测刷新，充电，这就是动态的根本原因。
版本二：
MOSFET的控制原理——水库模型
要说明这个MOSFET的控制原理，我们借助一个水库的模型来说明。MOSFET有三个极，分别是源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。下图左边就是一个MOSFET的电路图，右边是我们画出的一个水库模型。
图中S为源极，D为漏极，G为栅极。S极连接着电容，D级连接列地址线路，并接到数据IO，G则是控制电荷流出的阀门，连接行地址线路。电容在充电后电势会改变，这样S极的电势就会跟着改变，与D极形成电势差，而G极的电势，就决定了S极有多少电荷可以流入D极。由于电子是带负电荷，因此电子越多电势就越低。为了不至于混淆概念，我们把水池顶部电势定为0V，水池底部电势定为5V（仅举例说明，DRAM中的电容实际电压未必是5V）。当电子数量越多时，电势越低，接近0V，电子数量越少时，电势越高，接近5V。
用水库模型说明，就是左边的水池水量升高（电容充电后），当阀门关闭时，左边的水是不会往右边流的。然后阀门打开（降低，电势升高），左边的水就可以往右边流，阀门的高度就决定了有多少水能流去右边的水道（但是在数字电路中，MOSFET只有开和关两种状态，因此下文提到的打开MOSFET就是全开）；同样道理如果右边水多，阀门打开之后也可以向左边流。因此在水库模型中，电容就充当了左边的水池，而MOSFET的栅极就充当了阀门，列地址线路和IO则充当了右边的水道。
储存数据
MOSFET栅极电势为0V时，电容的电荷不会流出，因此数据就可以保存我们可以用2.5V为参考分界线，电容电势低于2.5V时，表示数据0，电势高于2.5V时，表示数据1。例如上一楼水库模型的左图，电容中储存的电子数高于一半的高度，电势低于2.5V，因此可以表示数据0。但以上只是理论情况，实际上电容会自然漏电，电子数量会逐渐减少，电势就会逐渐升高，当电势升高到2.5V以上时，数据就会出错，因此每隔一段时间必须打开MOSFET往电容中充电，以保持电势，这就是刷新。因此，数据的储存主要就是对电容中电势的保持操作。
写入数据
数据写入的操作分为写入0和写入1两种情况。写入前，电容原有的情况可能是高电势与低电势的状态，我们不用管它。写入0和写入1对cell的操作不尽相同，我们分别来看。
先来看写入0的操作。写入开始时，IO线路上电势为0（水道处于水位最高点），MOSFET栅极电势升高到5V（水库阀门降到最低），阀门打开，电容中的电势就跟着降低（水位升高），直到接近0V（水池被灌满），写入0完成，栅极电势降回0V，阀门关闭。
再看写入1的操作。写入开始时，IO线路上的电势为5V（水道水位为最低点），MOSFET栅极电势升高到5V（水库阀门降到最低），阀门打开，电容中的电势跟着升高（水流出并降低水位）到接近5V，写入1完成，栅极电势回到0V，阀门关闭。
读取数据
读取的时候，对漏极的电压操作跟写入有些不同。因为水道中的水比水池中的多，或者说水道的容量比水池要大得多。如果水道（漏极）的水为满或者空，在阀门打开的时候很容易出现水道的水倒灌进水池的现象，或是水池的水全部流去水道，这样就有可能导致电容中的电势状态改变，电容对应储存的0或者1也会改变。所以读取数据的时候，IO线路的电压应为1/2的满电势，即2.5V。
读取也同样分读取0和1两种情况。在读取之前，电容中的电势应该是大于或者小于2.5V的，分别代表存储了1和0。由于刷新机制的存在，应该不会允许出现等于2.5V的情况。
首先看读取0操作。电容中为低电势（假设为0V，水池为高水位），IO线路上电势升高至2.5V（这时水道水位比水池低），MOSFET栅极电势升高到5V（水库阀门降到最低），阀门打开，电容中电势升高（水位降低），但由于水道容量较大，因此水位不会升高太多，但是总归也会有个电势的变低，最终电容与IO线路上的电势都变成0-2.5V的一个中间值，并且接近2.5V（假设为2.3V）。这时候感应放大器检测到IO线路上电势低于2.5V，因此识别出0读出。
再看读取1操作。电容中为高电势（假设为5V，水池空），IO线路上电势升高至2.5V（这时候水道水位比水池高），MOSFET栅极电势升高到5V（水库阀门降到最低），阀门打开，电容中电势降低（水位升高），但由于水道容量较大，水位不会降低太多，不过多少也会降低一点（电势会升高），假设升高到2.7V。这时候感应放大器检测到IO线路的电势高于2.5V，识别出1读出。
以上讲述的只是从cell到内存IO线路的读写操作，至于CPU-IMC-内存的读写操作，不在本文讨论范围。