MCU IIC接口
IIC通信接口由從地址位SA0,IIC總線數據信號SDA(輸出SDAout/D2和輸入SDAin /D1)和IIC總線時鍾信號SCL（D0）。不管是數據線還是時鍾線都需要連接上拉電阻。RES#是用來初始化設備的。
a. 從地址位（SA0）
SSD1306必須在發送或者接收數據前，識別到IIC總線上的從地址。設備必須回復從地址通過從地址位（SA0位）並且配置讀寫選擇位（R/W 位）以一個字節的格式。
如：
| b7 | b6 | b5 | b4 | b3 | b2 | b1 | b0 |
| 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | SA0 | SA0 | R/W# |
“SA0”位提供一個額外的從地址位。不管是“0111_100”還是“0111_101”，都可以被選擇為SSD1306的從地址。D/C#引腳作為SA0為從地址選擇。
“R/W#”位是被用來決定IIC協議的工作模式，R/W#=1時，為讀模式，R/W#=0時，為寫模式。
b. IIC總線數據信號（SDA）
SDA作為通訊通通道在發送器和接收器之間，數據和應答信號在SDA線上被發送。
需要注意的事，ITO 軌道電阻和SDA引腳的上拉電阻變成一個潛在的分壓器，結論就是，應答可能不會達到有效的低電平，在SDA線上。
“SDAin”和“SDAout”是綁定在一條SDA線上，當SDA線為SDAin模式時，SDAout被屏蔽，當SDAout使用時，應答信號將被IIC總線忽略。
c. IIC總線時鍾信號（SCL）
IIC總線上的信息傳送是根據SCL時鍾信號，每一次數據為的發送都發生在一個單獨的SCl時鍾周期內。
IIC總線寫數據
IIC總線協議允許數據和命令在設備間的通訊。時序如下：
Co：連續位 D/C#：數據/命令選擇位 ACK：應答信號 SA0：從地址位
R/W：讀寫選擇位 S：開始條件 P:停止條件
IIC寫模式
1. 主設備開始數據通訊通過開始條件，開始條件的定義如下圖。開始條件發生在SCL高電平期間，SDA產生一個下降沿的跳變。
2. 從地址緊跟着開始信號，用於設備從設備。對於SSD1306來說，從地址可能是“b0111100”或者“b0111101”。通過改變“SA0位”為0或1，（D/C引腳作為SA0）。
3. 寫模式發生在R/W#位是低電平。
4. 應答信號在接收到一個字節的數據后有從設備產生，包括從地址和R/W#位，參考下面關於應答信號的圖示。應答信號定義為在SCL時鍾周期的高電平期間SDA拉低。
5. 在從地址發送結束后，不管是控制字節還是數據姐姐都可以發送通過SDA線。一個控制字節主要包括Co位和D/C#位在六個0后，
A. 如果Co位為低電平，發送的后續信息只能是數據字節。
B. D/C#位決定下一個數據字節是數據還是命令字節，如果D/C#字節設置為低電平，這意味着下一個字節是命令字節，如果D/C#為是高電平，下一個數據字節是數據字節，將被存儲在GDDRAM中，GDDRAM的列地址指針在每一個數據寫之后自加一。
6. 應答為在接收到一個數據字節或只命令字節后產生。
7. 寫模式在接受到停止信號之后結束。停止條件定義如下圖所示，停止信號發生在SCL高點平期間SDA的上升沿，作為停止信號。
2. 命令解碼器
這個模塊用來決定輸入的到底是數據還是命令，通過D/ C#位來判斷。
如果D/C#是高電平，D[7:0]是作為顯示數據寫在圖像數據隨機存儲器中(GDDRM)，如果是低電平，輸入的數據是被理解為命令。然后數據輸入被解碼並且寫在相應的命令寄存器中。
2. 振盪器電路和顯示時間發生器
這個模塊是一個片上低功耗RC振盪電路。工作時鍾（CLK）可以由內部振盪器產生或者外部時鍾源（CL引腳），通過引腳CLS選擇，如果CLS引腳被拉到高電平，內部的時鍾被選擇，CL應該開路，將CLS引腳拉低則不使用內部振盪電路，這時為了工作正常一定要連接CL引腳。當內部振盪器被選擇時，輸出頻率Fosc由命令D5h A[7:4]改變。
顯示時序發生器的顯示時鍾（DCLK）源於CLK。分頻系數D可以通過命令D5H 從1變到16。
DCLK=Fosc/D
顯示幀頻率由以下公式決定
* D代表時鍾分頻率，通過命令D5H A[3:0]決定，范圍是從1到16.
*K是每行的顯示時鍾，該值源於
K=相1周期+相2周期+BANK0脈寬 =2+2+54(電源復位時)
（詳情參考“段驅動器/公用驅動器”里的“相位”）
*多路復用比
通過命令A8H配置，復位值是（64MUX）。
* Fosc是振盪器頻率，可以通過命令D5h [7:4]改變，這個值越大,設置的最終頻率越高。
FR synchronization（FR 同步）
FR同步信號可以避免發生撕裂效應。
向OLED驅動器寫一個新的圖片的開始時間依賴於MCU的寫速度，如果MCU可以完成寫一幀圖片在一個幀周期內，這個MCU被分類位高速寫MCU。對於MCU需要更長的時間完成寫操作（超過一個幀周期但每到兩個幀周期），就是慢速的一種了。
對於高速寫微控制器：MCU應該開啟向ram里寫一個新的幀數據緊跟在FR的上升沿之后，並且應該在下一個上升沿到來之前完成。
對於低速寫微控制器：MCU在第一個下降沿之前開始寫，必須在第三個FR脈沖上升沿到來之前完成。
復位電路
1. 顯示管關
2. 配置為128*64顯示模式
3. 正常的短和顯示列地址和行地址映射（SEG0映射到地址00h且COM0映射到00h）。
4. 在串行接口上清除移位寄存器數據
5. 顯示開始線設置在RAM地址0
6. 列地址計數器設置為0
7. 正常的com輸出掃描方向
8. 反向控制寄存器設置為7Fh
9. 正常顯示模式（等同於命令A4h）
段驅動器和公共驅動器
段驅動器給予128個電流源來驅動OLED板，驅動電流可以在0~100uA調節（256份），公共驅動器發生電壓掃描脈沖。
段驅動波形被分割成三相：
1. 在相1，OLED上一個圖片的像素放電為了准備下一個圖像顯示內容。
2. 在相2，OLED像素被驅動到目標電壓，像素驅動到相當的對地電壓，相2的周期可以被編程為1到16個DCLK的長度。如果OLED像素的電容值更大，需要更長的周期來給電容充電到達期望的電壓值。
3. 在相3，OLED驅動選擇使用電流源去驅動OLED像素，並且這時現在的電流驅動環節。
完成這三相之后，驅動IC將回到相1去顯示下一個圖片數據，這三步環節連續執行去刷新顯示在OLED上。
在相3，如果電流驅動脈寬設置為50，在完成50個DCLK周期在現在的驅動相，驅動IC將回到相1繼續下一個顯示。
圖片顯示數據隨機存儲器（GDDRAM）
GDDRAM是一個位映射靜態RAM，保持位模式直到顯示在OLED上，RAM的大小是128*64位且RAM分成8頁，從第零頁達第七頁，用來存128*64個單色點陣顯示，如圖：
但一個數據字節被寫在GDDRAM中，當前頁的所有的行圖像數據被填滿（例，一列（8位）使得列地址指針填滿），數據為b0被寫到最頂的一行，當數據位D7被寫到最底下一行。如圖所示：
為了靈活性，段復用和公共復用輸出可以通過軟件選擇。
為了顯示的垂直移動，一個內部寄存器存儲顯示開始行可以被設置通過RAM中的數據位置映射到顯示屏上。（命令D3h）
SEG/COM驅動塊
這個區塊被用來將輸入電源導出到不同級別的內部使用的電壓和電流。
*Vcc是主電源。
*Vcomh 是取消選擇水平，內部規定。
* Iref是段電流驅動器Isegd的參考電流源。參考電流和顏色段電流的關系如下式：
Iseg=Contrase/256*scale factor in which
The Contrase(0~255)通過設置反向命令（81h），且比例因子是8.
這個數量級的Iref通過改變電阻值來改變，連接咋Iref到地之間，如圖所示，推薦電流范圍12.50.2uA,以實現Iseg=100uA在最大值255時。
從Iref引腳電壓為Vcc-2.5V，R1的值可以由下式確定：
Ired=12.5uA，Vcc=12V
R1=（Voltage at Iref-Vss）/Iref
=（12-2.5）/12.5uA=760k歐姆
開機和關機條件
下面用圖解的方法給出了推薦的SSD1306開機和關機條件
上電條件：
1. VDD上電
2. 在VDD電源穩定之后，設置RES#引腳為邏輯低至少3us然后拉高。
3. 在RES#處於低電平狀態之后，扥帶至少3us，然后打開VCC。
4. 在Vcc穩定后，發送命令AFh，打開顯示。SEG/COM在100ms（Taf）后開啟。
POWER OFF條件：
1. 發送命令AEh，關閉顯示。
2. 關掉Vcc。
3. 等待Toff,關閉VDD.（典型值toff=100ms）。
注意：
1. ESD保護電路連接達VDD和VCC之間，當VCC關閉時VDD比VCC要高。在圖中用點線表示。
2. VCC在關閉時時浮空的。
3. 電源引腳（VDD，VCC）在關閉情況下一定不要拉到地。
命令列表
注意：“*”代表不需要管着一位
| 位組合 |
命令 |
介紹 |
| D7D6D5D4D3D2D1D0 |
狀態寄存器讀 |
D[7]：保留 D[6]:“1”顯示關“0”顯示開 D[5]:保留 D[4]:保留 D[3]:保留 D[2]:保留 D[1]:保留 D[0]:保留 |
注意
除了命令表中給出的模式外，其他模式都禁止作為命令寫入芯片；以防止意外的情況發生。
數據寫/讀
為了從GDDRAM中讀數據，在6800 並行模式下，要將R/W#（WR#）
和D/C#位都拉高，在8080並行模式下，E（RD#）引腳拉低，D/C#引腳拉高。在串行模式下不提供數據讀。
GDDRAM在正常數據讀模式下，列地址指針在沒一次數據讀之后自加一。
同樣，在第一次數據讀前，需要讀取虛擬字節。
為了向GDDRAM中寫數據，將R/W#位拉低且D/C#位拉高，在6800並行通訊和8080並行通訊模式下都可以。串行接口總是在寫模式下。
GDDRAM列地址指針在每一次寫數據之后自加一。
| D/C# |
R/W# |
描述 |
地址增加（自增） |
| 0 |
0 |
寫命令 |
不支持 |
| 0 |
1 |
讀狀態 |
不支持 |
| 1 |
0 |
寫數據 |
支持 |
| 1 |
1 |
讀數據 |
支持 |
命令介紹
一．基礎命令
1. 設置頁地址模式的低起始地址（00h~0Fh）
這個命令說明了在頁寫模式下的顯示數據RAM的低的8位列起始地址。列地址咋每個數據接收后自加一。
2. 設置頁地址模式下的高起始地址（10h~1Fh）
這個命令說明了在頁地址模式下的顯示數據RAM的高的8位列起始地址。列地址在每個數據接收后自加一。
3. 設置內存地址模式（20h）
在SSD1306中有三種不同的內存地址模式：頁地址模式，水平地址模式和垂直地址模式。這個命令設置內存地址模式，選擇其中的一個，“COL”意思是GDDRAM的列。
頁地址模式（A[1:0]=10x b）
頁地址模式下，在顯示RAM寫過或者度過之后，列地址指針自加一，如果列地址指針到達最后的地址，列地址指針會回到開始地址且頁地址指針不變。用戶必須設置新的頁且頁地址為了幾首下一個頁RAM內容。
在頁地址模式下正常顯示數據RAM讀或寫，如下的幾步需要定義開始RAM接收指針位置
*設置頁開始地址在目標地址通過命令B0h到B7h
*設置低起始列地址指針通過命令00h~0Fh
*設置高起始列地址指針通過10h~1Fh
例如：如果頁地址被設置到B2h，低列地址是03h，高列地址是00h，這就意味着在PAGE2的SEG3開始,RAM接收指針定位如圖所示，輸入數據字節將被寫在RAM中的第3列。
水平地址模式(A[1:0]=00b)
在水平地址模式，RAM讀或寫后，列地址指針自動加一，如果列地址到達最后一列，列地址會復位到列開始地址並且頁地址指針加1。頁移動的順序和水平地址模式列地址指針如圖，當列地址指針和頁地址指針都到達最后一個地址時，指針會復位到列開始地址和頁起始地址。
垂直地址模式(A[1:0]=01b)
在垂直地址模式，顯示RAM讀或者寫后，頁地址自加一，如果頁地址指針到達最后的頁地址，頁地址指針會復位到頁起始地址並且列地址指針自加一。垂直地址模式頁地址指針的移動順序和列地址指針如圖，當列地址指針和頁地址指針都到達最后一個時，指針復位到頁起始地址和列起始地址。
在正常顯示數據RAM讀或寫且處於水平或垂直地址模式時，要遵循一下幾步來定義RAM訪問指針位置：
*通過命令21h設置列起始和結束地址到目標顯示位置
*通過命令22h來設置頁起始和結束地址達目標顯示位置
4. 設置列地址（21h）
這個三字節命令描述了顯示數據RAM列起始地址和結束地址。這個命令也可以設置；列起始地址的列地址指針。這個指針定義在GDDRAM中正在讀或寫的列地址。如果通過命令20h使能了水平地址增加模式，在完成讀或寫數據RAM后，下一個列地址會自加一。不管列地址指針有沒有到最后一個列地址，他都會回到列起始地址並且行地址自加到下一行。
5. 設置頁地址（22h）
這個三字節命令描述了顯示數據RAM的頁起始地址和結束地址。也包括設置頁起始地址指針，用來定義GDDRAM中的當前在讀或寫的頁地址。如果使用命令20h設置為垂直地址模式，在完成讀或寫一頁數據后，下一個頁地址將自加一到下一個頁地址，不管頁地址指針有沒有到最后一個頁地址，都會被復位到起始頁地址。
該圖展示了列地址和頁地址指針移動順序：列起始地址設置位2，結束地址設置位125，頁起始地址設置為1，頁結束地址為6，通過命令20h設置的水平地址增加模式，在這個例子中，GDDRAM可用列范圍從第2列到第125列，從第一頁到第六列，另外，列地址指針位置為2，頁地址指針設置為1.在完成讀或寫整篇的數據后，列地址自加一到達下一個讀或寫的RAM中的位置，不管列地址指針是否到達最后的125列，都會回到最開始的第2列且頁地址自加一。當到達最后的第六頁和最后的125列時，頁地址復位到1，列地址復位到2.
6. 設置顯示起始線
這個命令通過選擇0到63的一個值來設置顯示起始線寄存器為了決定顯示RAm的起始地址。當該值等於0時，RAM的第0行映射到COM0，當該值等於1時，第一行映射到COM0等等。
7. 為BANK0設置對比度控制（81h）
這個命令設置顯示的對比度，SSD1306將對比度分成256份，對應值為00h-FFh。
端輸出電流在該值增加時增加。
8. 設置段重映射（A0h/A1h）
這個命令改變顯示數據列地址和段驅動器之間的映射關系。這允許OLED模塊的靈活設計。
這個命令值影響數據輸入的順序，數據早存在在GDDRAM中的數據不會改變。
9. 整體顯示開（A4h/A5h）
A4h命令使能根據GDDRAM中的內容顯示輸出。
如果A5h命令發送后，通過發送A4命令，GDDRAM中的內容將重新出現。
換句話說，A4h命令就是使整個重新開始顯示。
A5h命令強制打開整個顯示，而不管顯示數據RAM中的數據。
10. 設置正常顯示/反顯（A6h/A7h）
這個命令設置正常顯示或反顯，在正常顯示一個RAM數據“1”代表打開一個像素點，而在反顯模式下，“0”代表點亮一個像素點。
11. 設置復用率(A8h)
該命令選擇63種復用模式，范圍是16到63.輸出塊COM0~COM63被選擇為相應的COM信號。
12. 設置顯示開/關（AEh/AFh）
這個單字節命令被用來打開OLED顯示或關閉。
當顯示打開時，通過設置主配置命令打開被選擇的電路。
當顯示關閉時，一些電路被關閉並且segment和com輸出為高阻態，以下命令用來設置顯示的兩種狀態。
AEh：顯示關閉
AFh：顯示打開
13. 設置頁地址模式下的頁開始地址（B0h~B7h）
這個命令設置在頁地址模式下GDDRAM的頁起始地址，范圍（PAGE0~PAGE7）。
14. 設置COM輸出掃描方向（C0h/C8h）
該命令設置COM輸出的掃描方式，在OLED模塊設計上允許更多的靈活設計。另外，一旦該命令被發送，顯示將立即生效。例如，如果在正常顯示模式期間，該命令被發送，圖像顯示將立即垂直翻轉。
15. 設置顯示偏移（D3h）
該命令是雙字節命令，第二個命令描述顯示開始行在COM0~COM63的映射（假設COM0是顯示起始行，然后顯示起始寄存器就等於0）。
例如，為了把COM16移動16行到COM0，則設置第二個字節為010000b，下面兩個表展示了設置命令C0h/C8h和D3h。
16. 設置顯示時鍾分頻率/振盪器頻率（D5h）
該命令包括兩個功能：
*顯示時鍾分頻率（D）(A[3:0])
從CLK中設置分頻率去產生DCLK（顯示時鍾）。范圍1到16，
復位值位1。
*振盪器頻率（A[7:4]）
如果CLS引腳被拉高時，可編程振盪器頻率 Fosc就是CLK時鍾源，這個四位數值包括16種不同的頻率可供選擇，默認值位1000b。
17. 設置預充電周期（D9h）
該命令被用來設置預充電周期的持續時間，以DCLK的整數倍位間隔，復位值等於2個DCLK。
18. 設置COM引腳硬件配置（DAh）
該命令設置COM信號引腳配置去配合OLED的硬件電路布局。
下表展示了COM引腳配置在不同的情況下（MUX=64）：
| 條件 |
COM引腳配置 |
| 1連續COM引腳配置（DAh,A[4]=0） COM輸出掃描方向：從COM0到COM63（C0h） 屏蔽COM左/右重映射（DAh,A[5]=0） |
|
| 2連續COM引腳配置（DAh，A[4]=0） COM輸出掃描方向：從COM0到COM63（C0h），使能COM左/右重映射 |
|
| 3連續COM引腳配置（DAh，A[4]=0） COM輸出掃描：從COM63到COM0（C8h） 屏蔽COM左/右映射（DAh A[5]=0） |
|
| 4連續COM引腳配置（DAh，A[4]=0） COM輸出掃描方向：從COM63到COM0（C8h） 使能COM左/右重映射（DAh，A[5]=1） |
|
| 5備用COM引腳配置（DAh，A[4]=1） COM輸出掃描方向：從COM0到COM63（C0h） 屏蔽COM左/右重映射（DAh，A[5]=0） |
|
| 6備用COM引腳配置（DAh，A[4]=1） COM輸出掃描方向：從COM0到COM63（C0h） 使能COM左/右重映射（DAh，A[5]=1） |
|
| 7備用COM引腳配置（DAh，A[4]=1） COM輸出掃描方向：從COM63到COM0（C8h） 屏蔽COM左/右重映射（DAh，A[5]=0）
|
|
| 8備用COM引腳配置（DAh，A[4]=1） COM輸出掃描方向：從COM63到COM0（C8h） 使能COM左/右重映射（DAh，A[5]=1）
|
|
19. 設置Vcomh取消選擇等級（D8h）
該命令用來設置調壓器輸出
20. NOP（E3h）
無操作命令
21. 狀態寄存器讀
通過在數據讀期間設置D/C#位為低電平執行。他允許MCU讀取監視器的內部狀態。在串行通訊模式下，沒有狀態讀寄存器。
二．圖像加速命令
1. 水平滾動設置（26h/27h）
該命令由五個連續字節設置水平滾動參數且決定滾動起始頁，結束頁，滾動速度。
在執行該命令前，必須屏蔽水平滾動（2Eh），否則，RAM內容會被破壞。
SSD1306水平滾動被設計成128列滾動，下列兩個圖表為例。
2 連續垂直和水平滾動設置（29h/2Ah）
該命令包含六個連續字節為了設置連續垂直滾動參數和決定滾動開始頁，結束頁，滾動速度和垂直滾動偏移量。
命令29h/2Ah之后的字節B[2:0],C[2:0]和D[2:0]是用來設置連續垂直滾動，字節E[5:0]是用來設置連續垂直滾動偏移量，所有的這些字節一起設置連續對角線（垂直+水平）滾動。如果垂直滾動失調量字節E[5:0]被設置成0，這時就只有水平滾動就像命令26h/27h那樣。
在執行該命令之前必須要平布滾動（2Eh）,否則，RAM中的內容會被破壞，顯示效果如圖：
3. 屏蔽滾動（2Eh）
此命令停止滾動的進行，在發送2Eh命令之后，停止滾動，RAM中的內容需要重新寫入。
4. 開始滾動（2Fh）
該命令開始滾動且在滾動參數配置完成（命令26h/27h/29h/2Ah）之后執行，最后一次寫的滾動設置命令將覆蓋上一個滾動配置命令。
在滾動開始之后下面這些操作是禁止的
1,RAM操作（讀或寫）
2. 改變水平滾動設置參數
5. 設置垂直滾動區域（A3h）
該命令包括三個連續字節用來設置垂直滾動區域。為了連續垂直滾動功能（命令29h/2Ah），在垂直滾動模式下行的數量應該小於或等於MUX比。
最大參數范圍
| 符號 |
參數 |
值 |
單位 |
| Vdd |
供電電壓 |
-0.3~+4 |
V |
| Vcc |
0~16 |
V |
|
| Vseg |
SEG輸出電壓 |
0~Vcc |
V |
| Vcom |
COM輸出電壓 |
0~0.9xVcc |
V |
| Vin |
輸入電壓 |
Vss-0.3~Vdd+0.3 |
V |
| Ta |
工作溫度 |
-40~85 |
℃ |
| Tstg |
存儲溫度范圍 |
-65~150 |
℃ |
最大范圍是不可以超過的值，如果超過這些值得話，可能會損壞設備。基礎工作配置應該參考電氣特性列表或者引腳描述部分。
該設備對光敏感，正常工作是應該注意避免在任何光源下暴曬該設備。該設備位非輻射防護設備。
直流特征
條件（除非另有說明）：
電壓參考到Vss
Vdd=1.65~3.3V，Ta=25℃
| 符號 |
參數 |
測試條件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
| VCC |
工作電壓 |
- |
7 |
- |
15 |
V |
| VDD |
邏輯供電電壓 |
- |
1.65 |
- |
3.3 |
V |
| VOH |
輸出邏輯高電平 |
Iout=100uA，3.3Mhz |
0.9xVDD |
- |
- |
V |
| VOL |
輸出邏輯低電平 |
Iout=10uA，3.3Mhz |
- |
- |
0.1xVDD |
V |
| VIH |
輸入邏輯高電平 |
- |
0.8xVDD |
- |
- |
V |
| VIL |
輸入邏輯低電平 |
- |
- |
- |
0.2xVDD |
V |
| ICC |
VCC供電電流 VDD=2.8V，VCC=12V，IREF=12.5uA 無負載，顯示開所有開 |
對比度=FFh
|
- |
430 |
780 |
uA |
| IDD |
VDD供電電流 VDD=2.8V，VCC=12V，IREF=12.5uA 無負載，顯示開，所有開， |
- |
50 |
150 |
uA |
|
| ISEG |
段輸出電流 VDD=2.8V，VCC=12V， IREF=12.5uA，顯示開 |
對比度=FFh |
- |
100 |
- |
uA |
| 對比度=AFh |
- |
69 |
- |
|||
| 對比度=3Fh |
- |
25 |
- |
|||
| DEV |
段輸出電流一致性 |
DEV=（ISEG-IMID）/IMID IMID=（IMAX+IMIN）/2 ISEG[0:132]=對比度在FFh時的段電流 |
-3 |
- |
+3 |
% |
| Adj.Dev |
輸出電流一致性調節引腳（對比度FFh） |
Adj Dev=(I[n]-I[n-1])/（I[n]+I[n+1]） |
-2 |
- |
+2 |
% |
13交流特性
條件：
電壓參考到Vss
VDD=1.65~3.3V25℃
| 符號 |
參數 |
測試條件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
| Fosc |
顯示時序發射器的振盪器頻率 |
VDD=2.8V |
333 |
370 |
407 |
KHz |
| Ffrm |
64MUX模式的幀頻率 |
128x64GDDRAM 顯示開，內部振盪器使能 |
- |
Fosc/（DxKx64） |
- |
Hz |
| RES# |
復位低脈寬 |
|
3 |
- |
- |
us |
注意：
1. Fosc以內部振盪器為參考且命令D5h A[7:4]為定義值。
2. D:分率（默認為1）
K:顯示時鍾的數量（默認是54）
6800系列MCU並行接口時序特性
工作環境：(VDD-VSS=2.8V) 25 ℃
| 符號 |
參數 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
| Tcycle |
時鍾周期時間 |
300 |
- |
- |
ns |
| Tas |
地址設置時間 |
0 |
- |
- |
ns |
| Tah |
地址保持時間 |
0 |
- |
- |
ns |
| Tdsw |
寫數據設置時間 |
40 |
- |
- |
ns |
| Tdhw |
寫數據保持時間 |
7 |
- |
- |
ns |
| Tdhr |
讀數據保持時間 |
20 |
- |
- |
ns |
| Toh |
輸出失能時間 |
- |
- |
70 |
ns |
| Tacc |
接收時間 |
- |
- |
140 |
ns |
| PWcsl |
片選低脈寬時間（讀） 片選低脈寬時間（寫） |
120
60 |
- |
- |
ns |
| PWcsh |
片選高脈寬時間（讀） 片選高脈寬時間（寫） |
60
60 |
- |
- |
ns |
| Tr |
上升時間 |
- |
- |
40 |
ns |
| Tf |
下降時間 |
- |
- |
40 |
ns |
8080系列MCU並行接口時序特性
工作環境：（VDD=2.8V，Ta=25℃）
| 符號 |
參數 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
| Tcycle |
時鍾周期時間 |
300 |
- |
- |
ns |
| Tas |
地址設置時間 |
10 |
- |
- |
ns |
| Tah |
地址保持時間 |
0 |
- |
- |
ns |
| Tdsw |
寫數據設置時間 |
40 |
- |
- |
ns |
| Tdhw |
寫數據保持時間 |
7 |
- |
- |
ns |
| Tdhr |
讀數據保持時間 |
20 |
- |
- |
ns |
| Toh |
輸出使能時間 |
- |
- |
70 |
ns |
| Tacc |
接收時間 |
- |
- |
140 |
ns |
| Tpwlr |
讀低電平時間 |
120 |
- |
- |
ns |
| Tpwlw |
寫低電平時間 |
60 |
- |
- |
ns |
| Tpwhr |
讀高電平時間 |
60 |
- |
- |
ns |
| Tpwhw |
寫高電平時間 |
60 |
- |
- |
ns |
| Tr |
上升時間 |
- |
- |
40 |
ns |
| Tf |
下降時間 |
- |
- |
40 |
ns |
| Tcs |
片選建立時間 |
0 |
- |
- |
ns |
| Tcsh |
片選讀信號保持時間 |
0 |
- |
- |
ns |
| Tcsf |
片選保持時間 |
20 |
- |
- |
ns |
寫周期時序
讀周期時序
四線串行接口時序特征
工作環境：（VDD-VSS=2.8V，25℃）
| 符號 |
參數 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
| Tcycle |
時鍾周期時間 |
250 |
- |
- |
ns |
| Tas |
地址設置時間 |
150 |
- |
- |
ns |
| Tah |
地址保持時間 |
150 |
- |
- |
ns |
| Tcss |
片選建立時間 |
120 |
- |
- |
ns |
| Tcsh |
片選保持時間 |
60 |
- |
- |
ns |
| Tdsw |
寫數據建立時間 |
50 |
- |
- |
ns |
| Tdhw |
寫數據保持時間 |
15 |
- |
- |
ns |
| Tclkl |
時鍾低電平時間 |
100 |
- |
- |
ns |
| Tclkh |
時鍾高電平時間 |
100 |
- |
- |
ns |
| Tr |
上升時間 |
- |
- |
15 |
ns |
| Tf |
下降時間 |
- |
- |
15 |
ns |
四線串行接口特性
三線串行接口時序特征
工作環境：（VDD-VSS=2.8V，25℃）
| 符號 |
參數 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
| Tcycle |
時鍾周期時間（寫周期） |
250 |
- |
- |
ns |
| Tas |
地址設置時間 |
15 |
- |
- |
ns |
| Tah |
地址保持時間 |
10 |
- |
- |
ns |
| Tdsw |
數據設置時間 |
10 |
- |
- |
ns |
| Tdhw |
數據保持時間 |
20 |
- |
- |
ns |
| Tacc |
數據接收時間 |
15 |
- |
170 |
ns |
| Toh |
輸出保持時間 |
20 |
- |
60 |
ns |
三線串行接口特性
IIC接口時序特征
工作環境：（VDD-VSS=2.8V，Ta=25℃）
| 符號 |
參數 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
| Tcycle |
時鍾周期時間 |
2.5 |
- |
- |
us |
| Thstart |
開始條件保持時間 |
0.6 |
- |
- |
us |
| Thd |
數據保持時間（SDAout） |
0 |
- |
- |
ns |
| 數據保持時間（SDAin） |
300 |
- |
- |
ns |
|
| Tsd |
數據設置時間 |
100 |
- |
- |
ns |
| Tsstart |
開始條件設置時間（一個重復的開始條件相對應） |
0.6 |
- |
- |
us |
| Tsstop |
結束條件設置時間 |
0.6 |
- |
- |
us |
| Tr |
數據引腳或者時鍾引腳的上升時間 |
- |
- |
300 |
ns |
| Tf |
數據引腳和時鍾引腳的下降時間 |
- |
- |
300 |
ns |
| Tidle |
在一個新的傳送開始前始前的待電時間 |
1.3 |
- |
- |
us |
