1、前言
DDR的全稱為Double Data Rate SDRAM，也就是雙倍速率的SDRAM，SDRAM在一個CLK周期傳輸一次數據，而DDR在一個CLK周期傳輸兩次數據，分別在上升沿和下降沿各傳輸一次數據，該概念稱為預取，在描述DDR速度的時候一般使用MT/S單位，也就是每秒多少兆次數據傳輸。
2、DDR結構框圖
接下來將以Micro的DDR3L芯片MT41K256M16進行結構框圖的介紹，該芯片是一款512MB的DDR3L內存芯片，框圖如下所示：
接下來對上面給出的框架圖各個標號進行簡單介紹：
（1）控制線
ODT：片上終端使能，ODT使能和禁止片內終端電阻；
ZQ：輸出驅動較准的外部參考引腳，應外接一個RZQ電阻到VSSQ，一般接到地；
RESET：芯片復位引腳，低電平有效；
CKE：時鍾使能引腳；
A12：A12為地址引腳，也叫做BC引腳，有另外一個功能，A12會在READ和WRITE命令期間被采樣，以決定burst chop是否會被執行；
CK,CK#：時鍾信號線，DDR3的時鍾線是差分時鍾線，所以的控制信號和地址信號都會在CK的上升沿和CK#的下降沿交叉處采集；
CS#：片選信號，低電平有效；
RAS#：行地址選通信號；
CAS#：列地址選通信號；
WE#：寫使能信號。
（2）地址線
A[14:0]：A0~A14為15根地址線，根據MT41K256M16的框圖可以知道，有15根行地址線A0~A14和10根列地址線A0~A9，行地址線和列地址線進行復用，因此該DDR3L芯片中1個Bank的大小為2^15*2^10*2=32MB*2=64MB，從框圖中可以看到，總共有8個Bank，因此該DDR3L的RAM大小為64MB*8=512MB。
（3）Bank選擇線
BA[2:0]：BA0~BA2為Bank的選擇先，由2^3=8，因此可以總共有8個Bank。
（4）Bank區域
8個Bank區域，DDR3一般有8個Bank區域。
（5）數據線
DQ[15:0]：DQ0~DQ15為16根數據線，因此該DDR3L的寬度為16位。
（6）數據選通引腳
LDQS,LDQS#：LDQS和LDQS#是數據選通引腳，對應低字節DQ0~DQ7，讀的時候是輸出，寫的時候為輸入；
UDQS,UDQS#：UDQS和UDQS#是數據選通引腳，對應高字節DQ8~DQ15，讀的時候是輸出，寫的時候為輸入。
（7）數據輸入屏蔽引腳
LDM/UDM：寫數據輸入屏蔽引腳。
3、DDR的一些關鍵時間參數
需要注意DDR的一些關鍵時間參數：
（1）傳輸速率
例如1066MT/S、1600MT/S等，這是首先需要考慮的，該參數決定了DDR的最高數據傳輸速率。
（2）tRCD參數
tRCD的全稱為RAS-to-CAS Delay，行尋址到列尋址只之間的延遲。DDR的尋址流程為先進行Bank地址，然后再指定行地址，最后指定列地址，從而確定除最終要尋址的單元，Bank地址和行地址是同時發出的，該命令也叫"行激活"，行激活后就發送列地址和具體的操作命令，同時發出，表示列尋址，在行激活到讀寫命令發出的這段時間時隔就是tRCD，如下：
數據手冊一般會給出tRCD時間參數，例如MT41K256M16的數據手冊中有如下：
（3）CL參數
當列地址發出以后就會觸發數據傳輸，從數據從存儲單元到內存芯片IO接口上還需要一段時間，而這段時間就是CL（CAS Latency），也就是列地址選通潛伏期，如下：
（4）AL參數
AL（Additive Latency）參數是為了保證足夠的延遲潛伏期，單位為時鍾周期，AL+CL組成了RL（Read Latency），加入AL參數以后的讀時序如下：
（5）tRC參數
tRC是兩個ACTIVE命令，或者ACTIVE命令到REFRESH命令之前的周期，DDR的數據手冊會給出該值。
（6）tRAS參數
tRAS是ACTIVE命令到PRECHARGE命令之間的最小時間。