在 20nm 以下的工藝中，由於相鄰 metal wire 的間距太小，使得光刻過程中，相鄰的光線間距過小，相互之間發生干涉，導致 metal wire 邊緣模糊，出現瑕疵。
為了解決這個問題，先進工藝開始采用 double pattern（DPT），也稱為 double mask，就是將原來的一層 mask 拆分成兩層，在每一層 mask 中都不出現最小間距，才能保證制造不出現瑕疵，代價就是制造費用成倍增加，原來只需一層光罩的費用，現在需要兩層。
圖1. 拆分成兩組 mask
相應地，在芯片物理設計過程中，需要確保每層metal 都可以拆分成兩層 mask，如果出現無法拆分的情況，就會報 odd cycle drc
什么樣的情況無法拆分？
如下圖所示，在這個區域內有 5 條 metal （奇數條），如果所有相鄰的 metal 間距都小於 DPT 規定的最小間距（DPTminSpacing)，就會出現無法拆分的情況
划重點：奇數條 metal ，相鄰間距都小於 DPTminSpacing
假設拆分為 AD 和 BCE，如下圖，由於 BC 間距小於double pattern 規定的最小 spacing，無法制造！
可能有人會問，為什么不拆分成 ACE 和 BD？ 這樣 BC 之間不就沒問題了嗎？
實際上由於 AE 間距也小於 double pattern 規定的最小 spacing，也無法制造！
（這里要強調這個區域內所有相鄰的 metal wire spacing 都小於 DBT 規定的最小spacing）
所以這個 mask 無法拆成兩個滿足要求的 mask，ICC2 會檢測到這種問題，並且報 odd cycle drc error
如何解決 odd cycle drc error ？
很簡單，拉開 spacing 即可，以剛才的圖為例，拉開 BC 間的 spacing：
這樣，可以拆分成 AD 和 BCE 兩組，兩組 mask 都滿足 DPT 最小 spacing 要求了
怎樣快速判斷某個區域是否存在 odd cycle drc error ？
隨機選取一根 metal 線作為第一根，如果第一根線與第二根線是最小間距，就要檢查是否有第三根線與第二根線是最小間距，如果有，接着去找第四根，如果找到第 n 根，且第 n 根與第一根也是最小間距，那么就構成了一個閉合環路，這樣一組 metal 就叫做 “ 最小間距環 ”，這個 n 如果是奇數，那就一定會出現 odd cycle error ！！
顧名思義， odd cycle 就是指這個 “ 奇數環 ” 。
ICC2 就是先找出這些 “ 最小間距環 ” ，然后檢查是否是奇數。
如果 ICC2 檢測到 “奇數環”，會自動修掉，但是檢測難點在於，這個環可能非常大，如果檢測窗口不夠大，就檢測不到，這時候就需要手動介入修掉了。
其它相關：
1). DPT 一般應用於低層 metal ，比如 M2 M3 等，因為先進工藝 cell 出 pin 更加密集，需要更多的低層繞線資源，低層 metal 方便連接底層 cell pin
2). 采用 DPT 的 metal layer 繞線利用率不宜太高，一般默認設定在 60% 左右，因為密度越高，出現 odd cycle 的幾率越大
3). DPT 的最小spacing 要求一般可以在 tech file 中查到，比如在某廠商 10nm 工藝中，M2 是DPT layer，其 minSpacing = 0.024u，其 DPTminSpacing = 0.072u （side2side），而對於不是DPT 的layer， 其 minSpacing = 0.04u
4). 同一層的 metal 盡量不要出現拐彎，拐彎就意味着這條metal至少占用了兩條 track，更容易出現 odd cycle
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