SPDT大功率的UltraCMOS ™DC - 3.0 GHz射頻開關
PE4259的UltraCMOS ™射頻開關被設計為覆蓋廣泛的，通過3000兆赫從近DC應用。這種反射開關集成主板上的CMOS控制邏輯用低電壓CMOS兼容的控制接口，並且可以使用單針或互補的控制來控制輸入。使用標稱值為+ 3伏電源電壓，典型可以實現33.5 dBm的輸入1 dB壓縮點。該PE4259 SPDT高功率的UltraCMOS ™射頻開關在百富勤的專利超薄硅制造（ UTSi® ） CMOS工藝，提供GaAs組成與性能經濟一體化和傳統的CMOS 。
特點
•單針或互補的CMOS邏輯控制輸入
•低插入損耗0.35分貝1000兆赫，0.5分貝，在2000兆赫
•30 dB的隔離在1000兆赫， 20分貝在2000兆赫
•典型的輸入1 dB壓縮點的33.5 dBm的
•超小型SC- 70封裝
功能框圖
包裝類型SC- 70
6引腳SC- 70
電氣規格
注：1.線性器件將開始降低10 MHz以下。
2.在交換機的任何端口的輸出端的直流瞬態當控制電壓從低電平轉換到高或高到低在50
Ω測試設置，具有1ns的上升時間脈沖和500 MHz的帶寬測量。
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錢先生
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