多次使用IR2104s，每次的調試都有種讓人吐血的沖動。現在將使用過程遇到的錯誤給大家分享一下，方便大家找到思路。
一.自舉電容部分（關鍵）
1、聽說自舉電路必須要安裝場效應管，於是我在使用過程中，安裝了只半橋的高端場效應管。
結果：高端驅動HO無輸出信號
正確做法：自舉電路回路是與半橋的下場效應管構成回路的，應該安裝下場效應管，保險的做法是兩個場效應管都安裝
2、自舉電容采用104，自舉二極管采用SS34 ，（這兩種參數是我以前比賽的常見參數值，很自信）
測試條件：1K PWM
結果：LO 有1K的PWM ，VS 有 1K PWM，上場效應管Ugs = 2V，
反思：以前比賽的時候，測試使用的是信號發生器給PWM，標准頻率為10K。
正確辦法：把輸入PWM的頻率改為 10K 。因為自舉電容與 自舉回路的充放電頻率有關，頻率越高，自舉電容越小。
3、買到假芯片引起錯誤
有一次測試也是高端引起不正常，結果換一塊芯片就正常了。
4、現象：IR2104s HO端對地測試的電壓為PWM（高電平為2倍IR2104s的VCC，低電平為0）
IR2104s LO 端對地測試的電壓為PWM（高電平為1倍IR2104s的VCC，低電平為0）
原因：這是很明顯的自舉參數不對，你測Vgs的電壓應該是接近0的電平）
5、買到假的場效應引起錯誤。
二、驅動部分（共性）
1、驅動能力不足引起帶負載能力不足,且效率低下。
由於IR2104s的推挽電流為130mA/270mA，在做大功率電源開關器件的驅動的時候，由於驅動能力不足，會導致輸出帶負載能力不足。
目前，IR公司的IR2184的驅動電流為1.4A/1.8A，HIP4081的驅動能力有2.5A，TI的UCC系列有4A的驅動。
理由：由於MOSFET的G，D，S兩兩之間存在寄生電容，他們的輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容公式分別為
其中：Ciss與驅動設計有關，特別是驅動電流過小，充電時間慢。
Coss用於設計軟開關，可能引起電路的諧振。
Crss影響開關的上升和下降時間。