原理圖地址：http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3020313.HTM?click_from=8800020962,4950449047,2014-05-01,EDNCOL,NEWSLETTER
首先要感謝MariannaZhu
問：請問能把你的一些封裝庫發給我嗎？我試着用Altium Designer去畫原理圖，可是沒有原件，我不會畫，剛接觸，求指教，謝謝~
答：我用的繪圖軟件是CadsoftEagle，基本上用里面自帶的庫。
問：博主，請問你的原理圖中的中間上面在+12V與GND之間使用電容是去耦的作用吧？
那么為什么有1個采用有極性的電容，而其它的又是沒有極性的呢？另外,有6個+24V與地(PE)之間采用電容，同樣也分有極性和無極性的，為什么？
更重要的是，原理圖中只有在H橋的部分采用+24V的電源，怎么會使用6個呢？這點很不明白。
最后，圖中左上角，在地(PE)與GND之間為什么會采用電阻，而且電阻的阻值為0，弄不明白？請博主指點一下，虛心求教。能不能告訴我一下QQ，可以好好交流一下，謝謝~
答：+12V和GND之間的大容量有極性電容用作儲能，配合一個104的無極性陶瓷電容濾除電源的高頻噪聲；其他104的無極性陶瓷電容用作芯片的旁路。
答：+24V和PE之間，使用了3對有極性大容量鋁電解電容，配合104無極性陶瓷電容。使用多個電容並聯能夠減小電容的RMS，效果會更好。
答：0歐姆的電阻用作地平面的隔離，GND和PE其實電平是一樣的，但是希望覆銅的時候它們可以分開，所以使用0歐姆的電阻使之單點共地。
問：請問你的原理圖中：X4-1，X4-3，X4-5都是接單片機或者FPGA的IO口，然后X4-2，X4-4，X4-6都是接地嗎？如果是接地，那么是接GND還是PE呢？
還有我看見你的有個第二版是+12P經VPP從LM2596給出，這個如果采用，那么扇熱是不是一個很大的問題，能不能把原理圖參考一下~
我想把你的這個原理圖弄懂
答：246可以接地，但最好接vcc
單片機部分的vcc
因為單片機的io灌電流，一般要比驅動電流大一些
lm2596的散熱不是大問題，因為它只負責給芯片供電，並不驅動電機，電流很小
問：我想了很久，前面的是不是弄錯了~應該是246接單片機IO口，然后135接VCC，這樣的話，光耦中的發光二極管就相當於是灌電流負載接法。其實這樣的接法我又有一個疑問：在你下面遇到
的“問題二，光耦的選型？”中“6N135和TLP521-1的輸入端，壓降約為1.6V，推薦的工作電流為16mA”那么對於單片機的最大灌電流10mA來說，這個不是很大嗎？
這里到底是怎么接法，我有點糊塗了
答：確實是135接vcc，246接io口
我沒多想就弄反了
雖然推薦的為16ma，但是一般都不會用這么大
問：那么怎么保證不會超過單片機的最大灌電流10mA，如果超過了不就是不穩定了嗎
問：還有你前面說的：“單片機的io灌電流，一般要比驅動電流大一些”，單片機的驅動能力不是由拉電流和灌電流決定嗎？為什么單片機的io灌電流，一般要比驅動電流大一些
這個我也不是很理解
答：300歐姆的限流電阻，3.3-1.6=1.7的壓降，也就不到6ma
那個驅動電流，其實就是輸出電流的意思
單片機的io口電流，可以從vcc往io里面灌，也可以從io輸出經過負載往gnd走
問：你這個驅動電路最大能驅動大多電流的步進電機呢
單片機的io口，如果接的負載電阻很小，比如應該接1k的只接了100偶，就可能燒壞io口。強悍點的io口可能不會壞，但是電平被小電阻拉過去了
這個h橋是6a的
6a經過8小時運行，實際上還能大一些
問：請問你這個24V的地和12V的地，畫PCB的時候分別鋪兩層銅？這兩個都是模擬地，如果我的原理圖中還有數字地，那么我不是要鋪3層銅把地隔開~你這個用0歐姆電阻分開的兩個地必須
要分開嗎？如果合在一起會有多大影響呢？
答：不同的地確實最好分開鋪，數字地也是。最好是分開，鋪在一起的話效果稍微差一下
不算是幾層銅，而是一層銅被分隔成幾塊。
0歐相當於就是單點共地，不用它而是畫pcb的時候用線也是可以的
使用0歐主要是便於命名不同的gnd
問：請問你當時畫PCB時，6N135的封裝是怎么畫的呢？6N135的datasheet上面是方孔，方孔不是干擾大嗎？你是怎么做的呢？
這個是datasheet里面的截圖，請指教一下，第一次畫PCB，不懂
答：actually，cadsoft eagle里面自帶6n135的庫
普通的橢圓形dip8封裝
問：我用的是Altium Designer，eagle不會用，DIP8普通的焊盤可以用嗎？
答：可以的
問：
答：第一個問題，散熱片因為沒有電氣連接，所以畫出示意圖加封裝就好了，到時候隨意擺放，它和mos管必須用 隔離墩 聚xx片(名字忘了，灰色的時候布片) 以及導熱硅脂相連
才能既傳遞熱量，又不會短路，因為mos管的背板和它的中間引腳是連通的
圖中的這個是封裝庫的原理圖，它和pcb封裝沒有必然聯系，就算這個圖里面畫了四朵花，只要它的封裝畫的是實際尺寸就行
c12和r14的值不要太大，1k加104就好了，不焊也行。它們的作用是讓負載兩端的電壓不要有毛刺，負載不一樣的時候，通過調整它們的值來獲得更好的效果
選1k是不對的
1k是適用於晶體管的值，mos柵極是電壓控制，輸入電阻非常大，所以沒有必要用更大的電阻限流。大電阻反而會減慢信號傳遞的速度
問：
答：這些我知道個大概，說起來內容太多了
建議翻牆去google
問：你的24V和PE之間的有極限電容選取的是多大呢
還有就是+12V與GND之間的有極性電容選取的是多大
電容和電阻的封裝0805可以嗎？
答：大電流用大電容
封裝的參數和電流有關
小電流用小電容
像電流很小的時候用0805就是可以的
問：請問一下，你這個H橋是怎么控制的，我有點不懂，能不能解釋一下~
2、將左臂的信號L給低，也就是使能左臂的下橋臂；
3、將右臂的信號R給成PWM，這樣，調整PWM的占空比，就能調整負載的功率了