MOSFET規格書參數詳解（參考AOD444）
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說明：MOS管漏極和源極最大耐壓值。
測試條件：在Vgs=0V，柵極和源極不給電壓。
影響：超過的話會讓MOSFET損壞。
說明：ID的漏電流。
測試條件：在Vgs=0V，在漏極和源極兩端給48V的電壓。
影響：漏電流越大功耗越大。
說明：柵極漏電流
測試條件：在Vgs=+-20V，在漏極和源極兩端不給電壓。
影響：
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說明：開啟電壓
測試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響：低於參考值可能出現不導通現象，設計時需要考慮范圍值。
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說明：完全開啟，漏極和源極兩端最大過電流30A，
測試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響：低於參考值可能出現不導通現象，設計時需要考慮范圍值。
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說明：導通時，Vds的內阻
測試條件：在Vgs=10V，通過12A的電流；Vgs=4.5V，通過6A的電流，在漏極和源極兩端的內阻。
影響：內阻越小，MOS過的電流越大，相同電流下，功耗越小。
說明：跨導的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs，是柵極電壓對源極電流的控制作用大小，
跨導：
線性壓控電流源的性質可表示為方程 I=gV ，其中g是常數系數。系數g稱作跨導（或轉移電導），具有與電導相同的單位。 這個電路單元通常指放大器。
在MOS管中，跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上，跨導為曲線的斜率。
單位是 S （西門子），SI基本單位量綱 m^-2˙kg^-1˙s^3˙A^2 ，一般用mS
測試條件：
影響：
說明：MOS管體二極管的正向導通壓降
測試條件：在VGS=0V，體二極管正向通過1A的電流。
影響：
說明：體二極管可承受最大連續續電流
測試條件：
影響：如果偏小，在設計降額不充裕的系統中或在測試OCP，OLP（逐周期電流限制保護（OCP)，限制最大輸出電流；過載保護(OLP)，限制最大輸出功率；）
的過程中會引起電流擊穿的風險
說明： Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容
Coss=Cds+Cgd 輸出電容
Crss=Cgd（米勒電容）
測試條件：
影響： Ciss：影響到MOS管的開關時間，Ciss越大，同樣驅動能力下，開通和關斷時間就越慢，開關損壞也就越大。較慢的開關速度對應會帶來較好的EMI
Coss和Crss：這兩項參數對MOSFET關斷時間略有影響，其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時，傳輸到MOSFET柵極電壓能力的大小，對雷擊測試項目有一點的影響。
說明：
測試條件：
影響：
說明： Qg：柵極總充電電量
Qgs：柵極充電電量
Qgd：柵極充電電量
tD（on）：漏源導通延遲時間
tr:漏源電路上升時間
tD（off）：漏源關斷延遲時間
tf:漏源電路下降時間
測試條件：
影響：參數與時間相互關聯的參數，開關速度越快對應的優點是開關損耗越小，效率高，溫升低，對應的缺點是EMI特性差，MOSFET關斷尖峰過高。
說明：反向恢復時間
測試條件：
影響：該參數如果過大，在橋式或LLC系統中會導致系統損耗過大，溫升過高。同時也加重了電路直通的風險
說明：反向恢復充電電量
測試條件：
影響：該參數與充電時間成正比，一般越小越好
A
說明：漏極單脈沖電流
測試條件：Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T J(MAX)=175°C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep initial
TJ =25°C.
影響：反應的是MOSFET漏源極可承受的單次脈沖電流強度，該參數過小，有電流擊穿風險
說明：
測試條件：
影響：
說明：
測試條件：
影響：
說明：
測試條件：
影響：
說明：
測試條件：
影響：
說明：
測試條件：
影響：
說明：
測試條件：
影響：