原文:MOSFET規格書參數詳解

MOSFET規格書參數詳解 參考AOD 說明:MOS管漏極和源極最大耐壓值。 測試條件:在Vgs V,柵極和源極不給電壓。 影響:超過的話會讓MOSFET損壞。 說明:ID的漏電流。 測試條件:在Vgs V,在漏極和源極兩端給 V的電壓。 影響:漏電流越大功耗越大。 說明:柵極漏電流 測試條件:在Vgs V,在漏極和源極兩端不給電壓。 影響: 說明:開啟電壓 測試條件:在Vgs Vds,在漏極和 ...

2019-01-04 12:49 0 1347 推薦指數:

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技術 | IGBT規格書詳解-虛擬結溫(Tvj)

IGBT模塊規格書包含很多信息,一般會對模塊的規格,技術特點,封裝等做詳細的描述。本文詳細介紹了規格書中虛擬結溫的幾個參數Tvj,Tvj(max)以及Tvj(op)。 幾個結溫的意義。 Tvj 一般來講,結溫Tvj是指芯片“結”區域的溫度,是與模塊結殼熱阻 ...

Mon Jul 20 22:10:00 CST 2020 0 1535
ASEMI二極管A7參數,A7二極管規格書,A7二極管的封裝

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Sat Jan 15 00:23:00 CST 2022 0 744
ASEMI整流橋ABS210參數,ABS210規格書,ABS210特征

編輯-Z ABS210詳細參數: 型號:ASEMI整流橋ABS210 最大重復峰值反向電壓(VRRM):1000V 最大有效電壓(VRMS):700V 最大隔直電壓(VDC):1000V 最大平均正向整流電流(IF(AV)):2A 峰值正向浪涌電流(IFSM):60A 最大瞬時正向 ...

Sat Jan 08 00:31:00 CST 2022 0 904
ASEMI整流橋KBP210參數,KBP210規格書,KBP210尺寸

編輯-Z ASEMI整流橋KBP210參數: 型號:KBP210 最大重復峰值反向電壓(VRRM):1000V 最大RMS電橋輸入電壓(VRMS):700V 最大直流阻斷電壓(VDC):1000V 最大平均正向整流輸出電流(IF(AV)):2.0A 峰值正向浪涌電流(IFSM ...

Tue Feb 15 00:59:00 CST 2022 0 896
初級模擬電路:1-6 二極管數據規格書

回到目錄 通常,半導體元器件的制造商會為自己每一種型號的產品提供一個描述其參數性能的詳細說明,術語叫作datasheet,中文叫作“數據規格書”,也叫“數據手冊”。下面我們以常用的1N4148二極管為例,來介紹如何閱讀二極管的數據手冊 ...

Tue May 21 00:56:00 CST 2019 0 449
ASEMI整流橋ABS10參數,ABS10規格書,整流橋abs10資料

編輯-Z ASEMI整流橋ABS10參數: 型號:ABS10 最大循環峰值反向電壓(VRRM):1000V 最大有效值電壓(VRMS):700V 最大直流阻斷電壓(VDC):1000V 最大平均正向整流電流(I(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):30A 最大瞬時正向電壓 ...

Mon Jan 17 22:22:00 CST 2022 0 777
ASEMI整流橋MB10S參數,MB10S封裝,MB10S規格書

編輯-Z ASEMI整流橋MB10S參數: 型號:MB10S 最大重復峰值反向電壓(VRRM):1000V 最大有效值電壓(VRMS):700V 最大直流阻斷電壓(VDC):1000V 最大平均正向輸出整流電流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):30A 每個元件 ...

Fri Jan 21 00:14:00 CST 2022 0 725
 
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