最近一個項目使用GD32F450VI+ESP8266需要做遠程升級，基本參考正點原子IAP的那一章節，但是在GD32F450上卻遇到了問題，無法跳轉，然后使用正點原子的開發板stm32f429，以及stm32f103c8和gd32f103c8運行同樣流程的程序，卻又沒有問題，於是咨詢了一下GD的FAE后，才知道問題出在GD的FLASH的特殊性上。本文中就不對IAP的一般流程做介紹，只對GD32F4相較於stm32的特殊之處做出介紹。
在GD的F4的用戶冊中提到，“在閃存的前512K字節空間內，CPU執行指令零等待(在閃存大小等於256K或512K時，閃存全片執行指令零等待)；在此范圍外，CPU讀取指令存在較長延時；”，GD的FAE告訴我，我使用的這款GD32F450VI只有前256K能夠實現零等待的，后面的速度都比較慢，所以需要在bootloader程序和APP程序的時鍾初始化中添加 RCC->CFGR |= RCC_CFGR_HPPE_DIV2; 這一句，並且APP程序需要在前256K之內，但是我用這個方式也沒有成功，不能從bootloader跳轉到app程序。后來我就自己重新試了一種方式，下面說明。
在我的APP程序中，一直使用的200M頻率，在自己的bootoloader程序中，使用主頻最高可以為140M，程序中頻率配置是使用stm32cube來配置的，實測72M、108M、120M都能夠正常跳轉。其他的都采用cube默認生成的配置就好。
我的FLASH分配如下圖：
紅圈中為全速運行，bootloader程序一般占用很小，大部分情況下16KB都能放下，我原來的程序是88K左右，考慮到以后升級的需要，雖然目前估計不會超過128K，但還是把扇區4和5都作為APP運行區，總共192K，應該能夠滿足大部分情況。APP為什么沒有從扇區1開始呢？因為從程序下載區copy到APP運行區，如果從扇區1開始，跨越的扇區太多，程序結構上復雜一些，我怕扇區越多越容易出錯，所以就固定使用扇區4和5，參考我文章的朋友可以根據自己的需求更改。在APP運行的時候，下載的bin文件將存放到扇區6、7，bootloader程序檢查之后把bin文件更新到APP運行的扇區4、5。 為了保證安全，我還把扇區8、9作為程序備份區，在出廠燒寫的時候，就把扇區4、5中的程序在扇區8、9也備份一下，萬一以后升級失敗，還能把扇區8、9中的程序恢復到APP運行區域。
至於怎么檢查升級后的APP程序能否正常運行，我是在APP運行之后在flash后面某個固定地址寫入一個特殊數值，bootloader程序每次去讀取它，如果連續幾次沒有讀取到正確的數值，則把扇區8、9中的程序恢復到扇區4、5中。目前經過我模擬，這種方式可行的。
本人第一次做IAP遠程升級，還不知道這種方式實際使用中有沒有考慮不周的地方，如果有什么錯誤歡迎指出。如果需要交流的，歡迎到GD32交流群205696642中來交流。