關於MOS管
NMOS:
PMOS:
NMOS是柵極高電平（VGS > Vt）導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS是柵極低電平（VGS < Vt）導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。
MOS管組成的邏輯電路：
我們課本里見到的最基本的邏輯門電路有與門，或門以及非門
但在實際的電路中基本上用的基本邏輯門單位是與非和或非
例如最常用的 74HC系列與、或、非邏輯器件數據手冊（datasheet）的邏輯原理圖（Logic Diagram），我們會發現上面三個門會是下圖那樣的：
我們利用以前教材上的知識來化簡一下這三個組合邏輯，如下所示：
那么這里我們就需要搞明白兩個問題
1 為什么要用與非、或非實現這些基本的門電路？
先要清楚CMOS邏輯電路設計中的基本的門電路的樣子：
（1）“非門”邏輯構造：
上面帶圓圈的是PMOS晶體管，下面是NMOS晶體管，從開關的角度來看，PMOS管相當於PNP三極管，輸入為“1”時截止，輸入為“0”時導通；而NMOS則相當於NPN三極管，輸入為“1”時導通，輸入為“0”時截止
當輸入為“0”時，下面的NMOS截止，而上面的PMOS導通將輸出拉為高電平，即輸出“1”。當輸入為“1”時，上面的PMOS截止，而下面的NMOS導通將輸出拉為低電平，即輸出“0”，很明顯，這就是個“非門”邏輯。
（2）“與非門”邏輯的結構：
當上圖中的任何一個輸入（A或B）為低時，都將有一只PMOS導通，從而將輸出Y拉高，因此該電路是“與非門”邏輯，那么“與門”邏輯就是在“與非門”后面加一級“非門”了，如下圖所示：
如果直接反過來的話也可以實現所謂的與門，但是我們需要注意的是NMOS可以有效地傳輸低電平，PMOS可以有效的傳輸高電平，兩者相配合就可以達到軌對軌的輸出，相反則有損耗。
（3）“或非門”的實現
2 為什么要插入那么多的非門？
實際上這樣做的目的是優化邏輯門，減少延時。CMOS集成電路中的最有延時告訴我們，存在最優級數，最少級數不一定是最優的
第二個實現非門是最優的，可以獲得最快的速度。
還有兩個問題
1.數字電路設計中，如何提高電路的翻轉速度？
2.數字電路設計中的D觸發器的翻轉與組合邏輯的反轉速度分別是怎樣的，兩者之間有沒有關系