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SSD之所以需要BCH或LDPC等ECC糾錯算法，是因為閃存中的數據會在神不知鬼不覺的情況下發生比特翻轉。
導致比特翻轉的原因很多，比如之前提到的data retention 問題， PE問題，read disturb問題，還有其他一些問題。Program Disturb也是其中原因之一，今天就介紹一下什么是Program Disturb，它是如何導致數據出錯的。
要對閃存Block進行擦除操作，擦除是把浮柵極里面的電子趕出來。它的實現是在襯底加一個高電壓，控制極接地，之間建立一個強大的電場，浮柵極里面的電子在隧道效應作用下，被強制驅趕出來。
Program操作是在Block擦除的基礎上，通過往浮柵極注入電子，實現1變為0。往浮柵極注入電子，做法與擦除操作相反，它是在控制極加個高電壓，襯底接地，建立一個與擦除相反的強電場，外面的電子在隧道效應作用下，進入浮柵極。
Program是按Page為單位進行的，每個Page由很多bitline組成，我們往Page上寫數據時，里面數據有0也有1：如果往某個存儲單元寫入1，我們認為這個比特可以不做Program操作，因為擦除后的存儲單元，里面數據本來就是1；如果我們寫入的是0，則真正需要做Program操作，即把之前的1改寫為0。
上圖中，黃色圈起來的是我們要寫的Wordline （WL,某個具體的page），這里只畫出該WL上的兩個比特，其中一個比特我們需要寫0 （綠色圈起來），即進行真正的Program操作，而另外一個比特（紅色圈起來的），我們要寫入1，對該比特來說，我們不需要program （稱之為Program Inhibit）。
我們一次只能Program一個page。對該page，我們在該WL上所有的存儲單元控制極加一個19V的高電壓；而對其他未被寫的WL，我們在他們所有存儲單元的控制極上加一個較小的電壓，例子中是9V。
對於要做真正Program操作（1->0）的那個存儲單元所在的bitline （BL），我們讓其接地，於是，左邊的String看起來如下：
該String中，要program的那個存儲單元，控制極電壓是19V，襯底電壓是0，就形成一個強電場，電子就被注入浮柵極。
對該String中其它存儲單元（屬於其它沒有被Program的page or WL）:
它們控制極電壓是9V，襯底電壓是0，也會形成一個電場，但該電場強度不足以讓電子輕松注入到其浮柵極。
但是不管怎樣，這個電場還是有概率讓電子進入到浮柵極，尤其是絕緣層隔絕性能比較差的時候（比如擦寫次數過多）。因此，被Program的存儲單元所在String上其它存儲單元會一定程度上受該次Program影響，我們稱之為Pass Disturb。該影響類似前面提到的Read Disturb，但由於一個Block擦除一次能寫的次數有限（一個Block的page數），不像Read操作可以反復讀取，所以，Pass Disturb對數據影響沒有Read Disturb嚴重。
看完左邊的String，我們看右邊的String，也就是那個無需Program的存儲單元（1->1,我們稱該存儲單元為 Program Inhibit）所在的String:
對Program Inhibit存儲單元，我們在其所在String的Bitline上加了個2V電壓，最終會在襯底產生一個7V的Vboost電壓。
對於Program Inhibit，控制極電壓是19V，減去7V的Vboost電壓，12V電勢差，該電勢差產生的電場不足以讓電子輕松流入浮柵極，因此，存儲單元基本還是保持擦除后的狀態，即1還是1。
但是，這個12V電勢差產生的電場，還是能讓電子有概率進入到浮柵極，尤其是絕緣層隔絕性能比較差的時候。最壞的情況，可能我們不期望Program的存儲單元，最后卻做了真正的Program操作，即1->0，這是我們不期望的。我們稱這種讓Program Inhibit存儲單元做了Program的現象，叫做Program Disturb。
最后，總結一下，Program操作存在下面兩個Disturb：
1.同一個Wordline （同一個Page），存在Program Disturb。我們在寫一個Page的時候，本來某些bit我們想寫入1，但最后卻寫成0。
2.Program的比特所在的那列String的其它存儲單元，存在Pass Disturb。
無論是Program Disturb還是Pass Disturb，其作用會導致浮柵極進入不期望的電子，這點和Read Disturb的影響是一樣的。但是，由於每個Page在一次擦除后Program只能進行一次，不像Read Disturb一樣，可以讀很多次，Program Disturb沒有累積效應（但單次影響程度比Read Disturb大，因為控制極上加的電壓更大），所以一定程度上沒有Read Disturb影響惡劣。但不管怎樣，Program操作也是導致數據出錯的一個元凶。