Nandflash是IO設備，數據、地址、控制線都是共用的，須要軟件區控制讀取時序，
所以不能像nor flash、內存一樣隨機訪問，不能EIP（片上執行）。因此不能直接作為boot。
S3C2440把Bootloader燒到nand flash上啟動，由於在S3C2440里有一個內置的SRAM。
叫做stepping stone(墊腳石，非常形象…)。系統啟動加電后，
會把nandflash上的起始4KB的內容復制到SRAM里運行，這樣就實現了從nandflash啟動。
2、norflash
Norflash的有自己的地址線和數據線，能夠採用類似於memory的隨機訪問方式。
在norflash上能夠直接執行程序，所以norflash能夠直接用來做boot。
norflash適合做代碼存儲並EIP的，nandflash適合用來作大量數據存儲的。
norflash的讀取速度比nandflash稍快，但擦寫速度比nandflash慢非常多。
3、ram
“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。也叫主存(內存)。
存儲單元的內容可按需任意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。
所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫入時，
所須要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。
相對的。讀取或寫入順序訪問（Sequential Access）存儲設備中的信息時，
其所須要的時間與位置就會有關系。
4、sram
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有精巧存取功能的內存，靜態隨機存取存儲器採取多重晶體管設計。
不須要刷新電路即能保存它內部存儲的數據，特點為高性能、低集成度、速度快、體積較大。
5、dram
DRAM動態隨機存取存儲器中每一個存儲單元由配對出現的晶體管和電容器構成，
每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。
6、rom
rom最初不能編程，出廠什么內容就永遠什么內容，不靈活。
后來出現了prom，能夠自己寫入一次。要是寫錯了，僅僅能再換一片。
后來又出現了可多次擦除寫入的EPROM。每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下。
7、eeprom
電可擦除可編程僅僅讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，
是相對於紫外擦除的rom來講的。
8、flash
flash屬於廣義的EEPROM，由於它也是電擦除的rom。
可是為了差別於一般的按字節為單位的擦寫的EEPROM。我們都叫它flash。
flash做的改進就是擦除時不再以字節為單位，而是以塊為單位。
flash分為nor flash和nand flash。
norflash數據線和地址線分開，能夠實現ram一樣的隨機尋址功能，
能夠讀取不論什么一個字節。
可是擦除仍要按塊來擦。
nandflash相同是按塊擦除，可是數據線和地址線復用。不能利用地址線隨機尋址。
讀取僅僅能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀。norflash沒有頁）