常見儲存器件的分辨（RAM、SRAM、SDRAM、ROM、FLASH、Nand Flash、Nor Flash、DDR、eMMC）

存儲器：

按照存儲介質的不同，將存儲器分為光學存儲、半導體存儲和磁性存儲三大類。

下面在半導體存儲器大類中，按照存儲器的實現技術原理來進行詳細分類。

• 光學存儲
  • CD
  • DVD

• 磁性存儲
  • 磁帶、軟盤、機械硬盤

 

• 半導體存儲
  • RAM（Random-Access Memory）： 隨機存取存儲器
  • SRAM（Static RAM）:             靜態隨機存取存儲器
  •  DRAM（Dynamic RAM）:     動態隨機存取存儲器
  • SDRAM（Synchronous DRAM）: 同步動態隨機存儲器
  •  DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：雙倍速率同步動態隨機存儲器，目前主流的內存類型
  • ROM（Read-Only Memory）：只讀存儲器
    • EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：電可擦寫可編程只讀存儲器
    • FLASH（Flash Memory）：閃存
      • NAND FLASH 
      • NOR FLASH

ROM：　

通常掉電后數據不會消失的半導體存儲器都泛稱為 ROM 了。

比如手機參數里所說的 ROM 通常就是指 NAND FLASH 類存儲器。但這些 ROM 基本上都是不支持執行代碼的。

　　NOR FLASH:

　　內存類接口，其最大的特點是norflash里面的程序可以直接運行，不必再把代碼讀到系統的RAM中，所以norflash能夠直接用來做boot。

　　2440開發板是2M的norflash，有自己的地址線和數據線，能夠采用類似於memory的隨機訪問方式，但不能向內存直接寫，需單獨設置操作。
　　傳輸速度高、寫入和擦除速度低，擦除前需要置零，讀取比nand快，適合做代碼存儲並片上執行，
norflash的讀取速度比nandflash稍快，但擦寫速度比nandflash慢非常多。

　　NAND FLASH

　　I/O類接口：存儲密度大，擦除簡單，擦除和寫入比nor快很多，但需要特殊的系統接口單元。類似電腦的硬盤，CPU從里面讀取數據的速度很慢，他里面的代碼也不能直接運行，要想運行需要把nandflash里面的數據讀到內存里面，然后CPU才能執行，但是他的集成度很高，成本很低。屬於IO設備，數據、地址、控制線都是共用的，須要軟件區控制讀取時序，所以不能像nor flash、內存一樣隨機訪問，不能EIP（片上執行）。因此不能直接作為boot。適合用來作大量數據存儲的。
　　注：UFS/eMMC是一種內嵌式存儲器的標准規格（基於閃存介質的基礎上集成主控芯片，而且擁有標准接口），而不是指具體的存儲器，也不是指接口。

　　eMMC（embedded Multi Media Card：嵌入式多媒體存儲卡）：   nandflash + 主控ic+mmc卡 便於開發

　　

　　eMMC內部主要可以分為Flash Memory、Flash Controller以及Host Interface三大部分。

 

 

 　　絕大部分的EMMC內部用的是Nand Flash，

NAND Flash直接接入Host時，Host端通常需要有NAND Flash Translation Layer，即NFTL或者NAND Flash文件系統來做壞塊管理、ECC等的功能。

eMMC則在其內部集成了Flash Controller，用於完成擦寫均衡、壞塊管理、ECC校驗等功能。相比直接將NAND Flash接入到Host端，eMMC屏蔽了NAND Flash的物理特性，可以減少Host端軟件的復雜度，讓Host端專注於上層業務，省去對NAND Flash進行特殊的處理

　　UFS（Universal Flash Storage：通用閃存存儲）不論是數據傳輸技術，還是工作模式，UFS都全面領先於eMMC，5G時代的到來，旗艦手機的ROM都至少是UFS3.0以上了。

 RAM：　

　　是隨機存儲內存，斷電數據丟失，存儲短時間使用程序。是用來存儲當前數據的，比如手機程序運行時需要占用內存，是為機器運行軟件提供內存的芯片

　　SRAM：

　　靜態隨機存取存儲器（Static RAM， SRAM）是隨機存取存儲器中的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恆常保持，掉電還是會消失的。這是性能十分優秀的 RAM，但價格較高，一般用在 CPU 內部做高速緩存（cache），或是（stepping stone）墊腳石。如三星的 S3C2440 內部就有 16Kb 的指令緩存、16Kb 的數據緩存和 4Kb 的內部 RAM（墊腳石）。當把Bootloader燒到nand flash上啟動，由於在2440里有一個內置的SRAM。系統啟動加電后，會把nandflash上的起始4KB的內容復制到SRAM里運行（硬件自動實現），這樣就實現了從nandflash啟動。

　　 DRAM：

　　

　　動態隨機存取存儲器(Dynamic RAM)，是如今最為常見的系統內存 RAM(無論是個人電腦還是智能手機)。它相對於 SRAM，在通電的情況下，也只能將數據保持很短的時間，為了保持數據穩定，所以必須隔一段時間就要對存儲單元刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，那么存儲的數據就會丟失。

　　 SDRAM：　　

　　同步動態隨機存儲器（Synchronous DRAM），它比 DRAM 多了一個同步。同步是指內存工作需要同步時鍾，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基准；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫。在JZ2440開發板中，S3C2440的外部接了兩個32MB的SDRAM，這就是內存。

　　 DDR SDRAM（ Double Data Rate SDRAM）：

 

 

 

參考文獻：

https://www.jianshu.com/p/1c1d49ffab4c

http://www.chinastor.com/baike/fenlei/

https://blog.csdn.net/haozi0_0/article/details/51892508

http://tech.sina.com.cn/mobile/n/n/2017-04-23/doc-ifyepsch2614993.shtml