以TF卡CLK為例進行講解。
TF
卡CLK
接收端（彈片處）測到的波形如下。
圖1 TF
卡CLK
接收端波形（彈片處）
TF
卡CLK
通路串0
Ω和50
Ω，在彈片處測的幅度不變，則TF
卡CLK
的輸入阻抗是高阻。測試點與TF
卡內部DIE
之間有一段彈片和TF
卡金手指，則感性比較大。測試波形有回勾塌陷，伴有過沖，
基本可以斷定是高負載+
電感+
電容這種情況。使用ADS
進行仿真，仿真圖與結果如下。
圖2 TF
卡CLK
仿真圖（0
Ω）
圖3 TF
卡CLK
仿真結果（0
Ω）
由上圖可以看出，源端串0
Ω，內部DIE
有過沖無回勾，彈片處有回勾和過沖，源端有台階、回勾和過沖。源端的台階是高阻負載不匹配引起的，測量源端波形如下。
圖4 TF
卡CLK
源端波形
源端測到的波形也有類似的台階，與仿真結果基本一致。
TF
卡內部DIE
只有過沖，可以在源端串個小電阻，增加源阻抗，減小向微帶線注入的電壓電流，即減弱源端驅動力。這樣就可以減緩對電容的充電速度，防止電容過充而產生過沖。
經過調試，源端串22
Ω電阻，效果較好，如下圖。
圖5 TF
卡CLK
接收端波形（彈片處）
圖6 TF
卡CLK
仿真結果（22
Ω）
由上圖彈片處的實測波形和標紅的仿真波形（TF
卡內部DIE
）可知，過沖基本沒有了。