以TF卡CLK为例进行讲解。
TF
卡CLK
接收端（弹片处）测到的波形如下。
图1 TF
卡CLK
接收端波形（弹片处）
TF
卡CLK
通路串0
Ω和50
Ω，在弹片处测的幅度不变，则TF
卡CLK
的输入阻抗是高阻。测试点与TF
卡内部DIE
之间有一段弹片和TF
卡金手指，则感性比较大。测试波形有回勾塌陷，伴有过冲，
基本可以断定是高负载+
电感+
电容这种情况。使用ADS
进行仿真，仿真图与结果如下。
图2 TF
卡CLK
仿真图（0
Ω）
图3 TF
卡CLK
仿真结果（0
Ω）
由上图可以看出，源端串0
Ω，内部DIE
有过冲无回勾，弹片处有回勾和过冲，源端有台阶、回勾和过冲。源端的台阶是高阻负载不匹配引起的，测量源端波形如下。
图4 TF
卡CLK
源端波形
源端测到的波形也有类似的台阶，与仿真结果基本一致。
TF
卡内部DIE
只有过冲，可以在源端串个小电阻，增加源阻抗，减小向微带线注入的电压电流，即减弱源端驱动力。这样就可以减缓对电容的充电速度，防止电容过充而产生过冲。
经过调试，源端串22
Ω电阻，效果较好，如下图。
图5 TF
卡CLK
接收端波形（弹片处）
图6 TF
卡CLK
仿真结果（22
Ω）
由上图弹片处的实测波形和标红的仿真波形（TF
卡内部DIE
）可知，过冲基本没有了。