選擇MOS管的時候需要注意的幾個參數
1，VDSS（擊穿電壓）：此電壓要選擇合適，一般是加入的電壓值的峰值的兩倍。
2，VGS（th）（開啟電壓）：
3，RDS（on）（漏源電阻）：這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。而功耗一旦變大，就會加速溫升。加速溫升，就會需要用到散熱裝置，從而使得布板出現不必要的浪費。
4，ID（導通電流）
一款電調上的MOS管,驅動橋
>> SI4166 - NMOS管子
VDS - 30V
VGS - 正負20V
ID - 30.5A
PD - 6.5W
開啟電壓最小值范圍：1.2V-2.4V
>> SI4459 - PMOS管子
VDS - -30V
VGS - 正負20V
ID - -29A
PD - 6.5W
開啟電壓最小值范圍：-1.2V-2.4V
pixhawk飛控上用的MOS管
>> SI4835DDY - PMOS
VDS - -30V
VGS - 正負25V
ID - -13A
PD - 5.6W
開啟電壓最小值范圍：-1.0v - -3.0V
>> NTHD4102PT1G - PMOS
VDS - -20V
VGS - 正負8V
ID - - 10s維持4.1A，標准-2.9A
PD - 1.1W
開啟電壓最小值范圍：-0.45v - -1.5V