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ROM（只讀存儲器）按其內容寫入方式，一般分為3種：固定內容ROM；可一次編程PROM；可擦除ROM，又分為EPROM（紫外線擦除電寫入）和E2PROM（電擦除電寫入）等類型。
(1)、固定內容ROM是采用掩模工藝制作的，其內容在出廠時已按要求固定，用戶無法修改。由於固定ROM所存信息不能修改，斷電后信息不消失，所以常用來存儲固定的程序和數據。如在計算機中，用來存放監控、管理等專用程序。
(2)、PROM(Programmable ROM)是可一次編程ROM。這種存儲器在出廠時未存入數據信息。單元可視為全“0”或全“1”，用戶可按設計要求將所需存入的數碼“一次性地寫入”，一旦寫入后就不能再改變了。PROM在每一個存儲單元中都接有快速熔斷絲，在用戶寫入數據前，各存儲單元相當於存入“1”。寫入數據時，將應該存“0”的單元，通以足夠大的電流脈沖將熔絲燒斷即可。
(3)、EPROM是為了克服PROM只能寫入一次的缺點，出現了可多次擦除和編程的存儲器。這種存儲器在擦除方式上有兩種：
一種是電寫入紫外線擦除的存儲器EPROM(ErasablePro-grammable Read-only Memory)；
另一種是電寫入電擦除的存儲器，稱為EEPROM或E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)。
EPROM內容的改寫不像RAM那么容易，在使用過程中，EPROM的內容是不能擦除重寫的，所以仍屬於只讀存儲器。要想改寫EPROM中的內容，必須將芯片從電路板上拔下，將存儲器上面的一塊石英玻璃窗口對准紫外燈光照射數分鍾，使存儲的數據消失。擦除時間大約為10min~30min，視型號不同而異。為便於擦除操作，在器件外殼上裝有透明的石英蓋板，便於紫外線通過。在寫好數據以后應使用不透明的紙將石英蓋板遮蔽，以防止數據丟失。數據的寫入可用軟件編程，生成電脈沖來實現。
(4)、E2PROM是一種電寫入電擦除的只讀存儲器，擦除時不需要紫外線，只要用加入10ms、20V左右的電脈沖即可完成擦除操作。擦除操作實際上是對E2PROM進行寫“1”操作，全部存儲單元均寫為“1”狀態，編程時只要對相關部分寫為“0”即可。
(5)、Flash Memory快閃存儲器是新一代E2PROM，它具有E2PROM擦除的快速性，結構又有所簡化，進一步提高了集成度和可靠性，從而降低了成本。目前除了各種快閃存儲器的產品面世外，快閃存儲器還向其他應用領域拓展，例如已經應用於計算機上的可移動磁盤，以代替軟磁盤。