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RAM（隨機存儲器）可以分為SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。我們經常說的電腦內存條指的是DRAM，而SRAM接觸的相對要少（像大部分的FPGA就是基於SRAM工藝的）。
SRAM：靜態RAM
SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機存儲器），它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
優點：速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。
缺點：集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
DRAM：動態RAM
DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存儲器）是最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
SDRAM：同步動態RAM
SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態隨機存取存儲器），為DRAM的一種，同步是指Memory工作需要同步時鍾，內部命令的發送與數據的傳輸都以時鍾為基准；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來
保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。
存儲單元結構不同導致了RAM容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保持數據完整性。SRAM內部采用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU內部的一級緩存以及內置的二級緩存，僅有少量的網絡服務器以及路由器上能夠使用SRAM。
DPRAM：雙端口RAM DPRAM（Dual Port Random Access Memory，雙端口隨機存儲器）是常見的共享式多端口存儲器，雙口RAM最大的特點是存儲數據共享。一個DPRAM存儲器配備兩套獨立的地址、數據和控制線，允許兩個獨立的CPU或控制器同時異步地訪問存儲單元。因為數據共享，就必須存在訪問仲裁控制。內部仲裁邏輯控制提供以下功能：對同一地址單元訪問的時序控制；存儲單元數據塊的訪問權限分配；信令交換邏輯（例如中斷信號）等。
FRAM：鐵電體RAM FRAM（Ferroelectric Random Access Memory，鐵電體存儲器），其將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種接口和多種密度，像工業標准的串行和並行口，工業標准的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。FRAM 提供一種與RAM一致的性能，但又有與ROM 一樣的非易失性。FRAM 克服以上二種記憶體的缺陷並合並它們的優點，它是全新創造的產品，一個非易失性隨機存取儲存器。