RAM的結構
RAM存儲容量的擴展
RAM的特點
RAM存儲單元
RAM的結構
RAM主要有存儲矩陣、地址譯碼器和讀/寫控制電路（I/O控制電路）三部分組成。
1.存儲矩陣（數據線）
上圖中點畫線框內的美國小方塊都代表一個存儲單元，可以存儲1位二值代碼，存儲單元可以是靜態的（觸發器），也可以是動態的（動態MOS存儲單元）。這些存儲單元一般都按陣列形式排列，形成存儲矩陣，其目的是使地址譯碼更簡單。
2.地址譯碼器（地址線）
分行地址譯碼器和列地址譯碼器兩部分。
3.片選與I/O控制電路（控制線）
RAM存儲容量的擴展
當一片RAM集成塊不能滿足存儲容量的要求時，可以用若干片RAM連接成一個存儲容量更大的滿足要求的RAM，擴大存儲容量的方法，通常有位擴展和字擴展兩種。
1．位擴展
存儲器芯片的字長多數為1位、4位、8位等。當實際的存儲系統的字長超過存儲器芯片的字長時，需要進行位擴展。
位擴展方法：芯片的並聯(地址線、控制線共用，數據線合並)
例如：下圖為用兩片8K×8位的芯片實現的8K×16位的存儲器
2．字擴展
方法：地址線、數據線和讀寫控制線連接在一起，而外加譯碼器控制各個芯片的片選端(/CS)。下圖是四片8K×8 位RAMà32K×8 位。
圖中，譯碼器的輸入是高位地址A14、A13，譯碼器的輸出連接各片RAM的片選信號。若A14A13=01，則RAM(2)片的/CS=0，其余各片RAM的/CS均為1，故選中第二片。讀出的內容則由低位地址A12～A0決定。顯然，四片RAM輪流工作，任何時候，只有一片RAM處於工作狀態，整個系統字數擴大了四倍，而字長仍為八位。
RAM的特點
1、隨機存取
所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的消息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問（Sequential Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系（如磁帶）。
2、易失性
當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以后保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會。
3、高訪問速度
現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，取存延遲也和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。
4、需要刷新
現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電后代表1(二進制)，未充電的代表0。由於電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態，然后按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。
5、對靜電敏感
正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。
RAM存儲單元
1．靜態存儲單元（SRAM）
●存儲原理：由觸發器存儲數據
●單元結構：六管NMOS或CMOS構成
●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache
●缺點：元件數多、集成度低、功耗大
●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
2．動態存儲單元（DRAM）
●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現在：單管基本單元）
●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。
●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低
●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用於作主存儲器。
盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產品。