異步SRAM：正如其名，不是與特定的時鍾信號同步運行，而是根據輸入信號的狀態運行的。因為沒有信號表明讀取時已確定了有效數據，也沒有信號表明寫入時已接收到數據，所以，需要獲取制造商的數據手冊，根據時序圖，按“應該已讀出有效數據”及“應該能接收數據”這樣的條件，進行存儲器的設計。
1. 讀操作：OE讀控制
異步SRAM的基本讀操作如圖1所示。
首先指定地址，然后使CE2＝WE＝高電平，CE1＝OE＝低電平，此時將在I／O引腳出現數據。
如果保持該狀態而改變地址，則將出現新地址的數據。另外，如果CE1，CE2,WE和OE沒有滿足讀狀態的條件，則SRAM中止驅動I／O引腳，成高阻抗。
圖1 異步SRAM的讀操作
讀操作時，使CE1，CE2，WE,OE等保持讀狀態，也允許改變地址（也就是保持存取的狀態，只改變地址，讀取不同地址的數據）。但是一部分高速SRAM也存在這樣的情況，即當器件處於選擇狀態（CE有效）時，如果改變其地址，則設備判斷發生了誤操作，所以事先需要確認是否允許這樣的應用。
2. 寫操作1：WE寫控制
異步SRAM的基本寫操作如圖2所示。
首先指定地址，如果CE2＝高電平，CE1＝低電平，則器件處於選擇狀態。只要OE一直有效（低電平），則在此時SRAM臨時輸出數據。但因為WE具有優先權，所以一旦WE有效，則I／O引腳變為高阻抗狀態，SRAM不再輸出數據。進行寫入操作的地址必須在OE下降之前就要確定，數據的寫入操作是在WE的上升沿進行的。
圖2 異步SRAM的寫操作1（WE寫控制）
3. 寫操作2：CE寫控制
CE寫控制的操作如圖3所示。CE寫控制在麗已經有效的狀態下，利用CE1和CE2寫入數據。因為WE已經是有效的，因此器件變為選擇狀態的同時也變為寫狀態。
圖3 異步SRAM的寫操作2（CE寫控制）
還可以參考如下鏈接
http://www.cnblogs.com/sunev/archive/2011/10/31/2229973.html