Power Gating的设计(概述)
Leakage power随着CMOS电路工艺进程,功耗越来越大。 Power Domain的开关一般通过硬件中的timer和系统层次的功耗管理软件来进行控制,需要在一下几方面做trade-o ...
Leakage power随着CMOS电路工艺进程,功耗越来越大。 Power Domain的开关一般通过硬件中的timer和系统层次的功耗管理软件来进行控制,需要在一下几方面做trade-o ...
Switching Fabric的设计: 三种架构:P沟道的switch vdd(header switch),N沟道的switch vss(footer switch),两个switch。 ...
Pswitch = Ceff * Vvdd^2*Fclk, Pshort-circuit = Isc * Vdd * Fclk, Pleakage = f(Vdd, Vth, W/L) 尽管对电 ...