3. 1 引言 在等离子体中, 情况远比第 2 章所述的复杂; \(\boldsymbol{E}\) 场和 \(\boldsymbol{B}\) 场不能事先规定, 而 应由带电粒子本身的位置和运动来决定. 我们必须解一个自恰问题 (self-consistent problem), 即找出 ...
引言 等离子体广泛存在于宇宙中 在地球外部,恒星的内部及大气层 气态星云和大量的星际氢都处于等离子体状态,因此,说宇宙中物质的 以等离子体状态存在 也就是以带电气体的形式存在,一点都不夸张。因为由于高温它们的原子离解成正离子和负电子。 在地球内部,也可以看到许多等离子体现象,如闪电 北极光 火箭尾焰 日光灯等,只是由于它们或被封闭在容器中 或存在的时间短暂,才不会对人类产生大的影响。但有时还是给人 ...
2021-11-28 21:27 0 1382 推荐指数:
3. 1 引言 在等离子体中, 情况远比第 2 章所述的复杂; \(\boldsymbol{E}\) 场和 \(\boldsymbol{B}\) 场不能事先规定, 而 应由带电粒子本身的位置和运动来决定. 我们必须解一个自恰问题 (self-consistent problem), 即找出 ...
4. 1 波的表示法 用傅里叶分析法能将任何一种流体的周期性运动分成具有不同频率 \(\omega\) 和波长 \(\lambda\) 的正弦振荡的叠加. 这些分量中的任何一个都是一种简单的波. 在 ...
【转】http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1185.html 1. Plasma:广泛应用而又复杂的物理过程 等离子体刻蚀在集成电路制造中已有40余年的发展历程,自70年代引入用于去胶,80年代成为集成电路领域成熟的刻蚀技术 ...
摘自《真空镀膜技术》--张以忱 一、直流放电的特性 1、暗光放电(A点-B点):开始给阴极施加负电压-->放电电流密度较小,仅为10^-16到10^-14(A/cm2) 2 ...
摘自《等离子体放电原理与材料处理》1.3.1 摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.1 ...
以下摘自《CO2激光驱动锡靶产生极紫外光源的实验研究》 一、EUV简介 在下一代光刻机光源的候选名单中,最受大家关注的是,离子体辐射极紫外光(EUV: extreme ultraviolet),极紫外光刻技术能够使特征尺寸小到50nm以内。 某些靶材的等离子体辐射出EUV ...
转自北方华创官网:http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介绍了脉冲等离子体技术在干法刻蚀领域的应用背景,从半导体制程工艺需求层面讲述了纳米量级的刻蚀制程对等离子体参数的需求。重点对脉冲等离子体工作机制、脉冲匹配 ...
摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.4 远程等离子源也称为远程高密度等离子发生器,它是半导体、芯片制造过程中的核心装备。它用离化后的氟来清洗沉积在芯片结构内部的硅粉尘。在半导体、芯片等制程中,随着时间的增加,在芯片内部和表面都会沉积 ...