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原文：等离子体技术【十六】--EUV激光器
以下摘自 CO 激光驱动锡靶产生极紫外光源的实验研究 一 EUV简介 在下一代光刻机光源的候选名单中，最受大家关注的是，离子体辐射极紫外光 EUV: extreme ultraviolet ，极紫外光刻技术能够使特征尺寸小到 nm以内。 某些靶材的等离子体辐射出EUV光，在某个波段会出现峰值，比如氙靶辐射的峰值在 . nm，而锡靶辐射的峰值在 . nm。 光刻机光源波长选择为 . nm，主更是因为 ...
2021-07-29 10:54 0 133 推荐指数：
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转自北方华创官网：http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介绍了脉冲等离子体技术在干法刻蚀领域的应用背景，从半导体制程工艺需求层面讲述了纳米量级的刻蚀制程对等离子体参数的需求。重点对脉冲等离子体工作机制、脉冲匹配 ...
等离子体技术【十二】--直流DC电源及其在等离子应用中的问题
摘自《真空镀膜技术》--张以忱 一、直流放电的特性 1、暗光放电（A点-B点）：开始给阴极施加负电压-->放电电流密度较小，仅为10^-16到10^-14(A/cm2) 2、Townsend放电区（C点-D点）：电压继续增大，进入汤森放电区。 特点：电压受电源输出阻抗 ...
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摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.4 远程等离子源也称为远程高密度等离子发生器，它是半导体、芯片制造过程中的核心装备。它用离化后的氟来清洗沉积在芯片结构内部的硅粉尘。在半导体、芯片等制程中，随着时间的增加，在芯片内部和表面都会沉积 ...
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