转自北方华创官网:http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介绍了脉冲等离子体技术在干法刻蚀领域的应用背景,从半导体制程工艺需求层面讲述了纳米量级的刻蚀制程对等离子体参数的需求。重点对脉冲等离子体工作机制、脉冲匹配 ...
转 http: www.naura.com index.php innovate news art .html .Plasma:广泛应用而又复杂的物理过程 等离子体刻蚀在集成电路制造中已有 余年的发展历程,自 年代引入用于去胶, 年代成为集成电路领域成熟的刻蚀技术。刻蚀采用的等离子体源常见的有容性耦合等离子体 CCP capacitively coupled plasma 感应耦合等离子体ICP ...
2021-07-09 15:33 0 452 推荐指数:
转自北方华创官网:http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介绍了脉冲等离子体技术在干法刻蚀领域的应用背景,从半导体制程工艺需求层面讲述了纳米量级的刻蚀制程对等离子体参数的需求。重点对脉冲等离子体工作机制、脉冲匹配 ...
摘自《真空镀膜技术》--张以忱 一、直流放电的特性 1、暗光放电(A点-B点):开始给阴极施加负电压-->放电电流密度较小,仅为10^-16到10^-14(A/cm2) 2、Townsend放电区(C点-D点):电压继续增大,进入汤森放电区。 特点:电压受电源输出阻抗 ...
摘自《等离子体放电原理与材料处理》1.3.1 摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.1 ...
以下摘自《CO2激光驱动锡靶产生极紫外光源的实验研究》 一、EUV简介 在下一代光刻机光源的候选名单中,最受大家关注的是,离子体辐射极紫外光(EUV: extreme ultraviolet),极紫外光刻技术能够使特征尺寸小到50nm以内。 某些靶材的等离子体辐射出EUV ...
摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.4 远程等离子源也称为远程高密度等离子发生器,它是半导体、芯片制造过程中的核心装备。它用离化后的氟来清洗沉积在芯片结构内部的硅粉尘。在半导体、芯片等制程中,随着时间的增加,在芯片内部和表面都会沉积 ...
1、阻抗匹配的作用 高能量射频源被用于等离子体沉积和光刻过程中。在不同的生产过程中,等离子体室阻抗的变化十分复杂。为了提高集成电路品质,需要在工作期间保证等离子体均匀稳定。而有关实验证明,系统的输入功率直接影响等离子体的浓度和压力。因此,从功率角度来看,需要稳定系统的输入功率。换句话 ...
3. 1 引言 在等离子体中, 情况远比第 2 章所述的复杂; \(\boldsymbol{E}\) 场和 \(\boldsymbol{B}\) 场不能事先规定, 而 应由带电粒子本身的位置和运动来决定. 我们必须解一个自恰问题 (self-consistent problem), 即找出 ...
薄膜封装,等离子体技术,原子层沉积,化学气相沉积 薄膜封装 薄膜封装概念 薄膜真空沉积的一个很重要的技术应用就是薄膜封装。人们对薄膜封装最简单的认识就是日常生活中最常见的保鲜膜,水氧渗透率大约是1-10 g/m2/day。先进薄膜封装,通过真空沉积一层或多层厚度在纳米或微米尺度的薄膜,大幅 ...