一个SRAM单元如上图所示,M1 M2,M3 M4分别组成反相器,两个反相器首尾相连。M5与M6为两个NOMS,他们的栅极连接再WL上,读写时,都需要在WL上加电压。 如何读取SRAM中存储的电压 当读取时,BLn和 BL两根线上加标准电压。假设Q为高电平(Q=1),Qn则为 ...
SRAM TCAM 静态随机存取存储器 Static Random Access Memory,SRAM 是随机存取存储器的一种。所谓的 静态 ,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器 DRAM 里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失 被称为volatile memory ,这与在断电后还能储存资料的 ...
2021-05-12 13:47 0 2192 推荐指数:
一个SRAM单元如上图所示,M1 M2,M3 M4分别组成反相器,两个反相器首尾相连。M5与M6为两个NOMS,他们的栅极连接再WL上,读写时,都需要在WL上加电压。 如何读取SRAM中存储的电压 当读取时,BLn和 BL两根线上加标准电压。假设Q为高电平(Q=1),Qn则为 ...
SRAM是随机存取存储器的一种。所谓的静态是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据,因此SRAM具有较高的性能. SRAM的速度快但价格相对昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存(cache ...
首先来看一下并口和串口的区别:引脚的区别: 串口SRAM(或其它存储器)通常有如下的示意图: 串口SRAM引脚 引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个,一般遵循SPI协议,并口SRAM引脚很多,串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口 ...
1. SRAM芯片的常用引脚:地址线、数据线、读写控制线、选择线。 2. SRAM芯片的引脚位数: 地址线的位数 = 芯片内的字数,例如:1024个字的芯片应该有10位地址线(1024 = 2^10,也就是1KB)。 数据线的位数 = 每个存储单元的位数,例如:1K x 8b的芯片 ...
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM具有较高的性能,功耗较小。SRAM主要用于二级高速缓存。它利用晶体管来存储数据。但是SRAM也有它的缺点,集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM ...
特点简介: SRAM :静态RAM,不用刷新,速度可以非常快,像CPU内部的cache,都是静态RAM,缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多,因而价格昂贵,容量不大。 DRAM:动态RAM,需要刷新,容量大。 SDRAM:同步动态RAM,需要刷新,速度较快,容量大。 DDR SDRAM:双通道 ...
SRAM、DRAM与flash 1. SRAM SRAM是静态随机存取存储器,由六管组成(4管组成的两个反相器+2管位线控制),存取速度极快,但成本也极高,主要用于CPU内的一级缓存cache。 2. DRAM DRAM是动态随机存取存储器,相比SRAM结构简单(1管+1电容),密度高 ...
近年来,片上存储器发展迅速,根据国际半导体技术路线图(ITRS),随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展,晶体管特征尺寸进一步缩小,半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。 SRAM 写操作。写操作就是把数据写入指定的SRAM ...