原文:CVD-ALD前驱体材料

CVD ALD前驱体材料 ALD前驱体源瓶特点是什么 ALD前驱体源瓶 起泡器 用于固态 液态及气态超纯物料类的封装,涉及微正压 常压 中低压的危险化学品,对源瓶的安全性和洁净度提出严苛的要求。 ALD前驱体源瓶特点: 所有管件采用 L不锈钢,内部经 目机械抛光和电化学抛光,Ra . 微米 阀门有美国世伟洛克球阀和隔膜阀 日本富士金隔膜阀和韩国TK隔膜阀供选择 密封垫片选用纯银镀镍垫片 氦质谱检测 ...

2021-05-11 06:04 0 2601 推荐指数:

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ALDCVD晶体管薄膜技术

ALDCVD晶体管薄膜技术 现代微处理器内的晶体管非常微小,晶体管中的一些关键薄膜层甚至只有几个原子的厚度,光是英文句点的大小就够容纳一百万个晶体管还绰绰有余。ALD 是使这些极细微结构越来越普遍的一种技术。 ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料,一次沉积单层薄膜几分之一的厚度,以尽可能生成 ...

Sun May 16 16:29:00 CST 2021 0 1854
ALD对照CVD淀积技术的优势

ALD对照CVD淀积技术的优势 ALD 适合制备很薄的高K金属氧化物层,对腔室的真空度要求比较高,对反应气体源及比例的要求也较高。 目前沉积速率还是比较慢,大大限制了其在工业上的推广应用,不过随着设备技术的不断进步,包括ALD系统,前景还是很值得期待的。 ALD 除了常规的半导体高K 材料 ...

Tue May 18 14:30:00 CST 2021 0 1136
CVDALD薄膜沉积技术应用领域

CVDALD薄膜沉积技术应用领域 显示 用于OLED、QD-OLED、甚至未来QLED的薄膜封装,通过有机/无机叠层结构的保护,水汽渗透率WVTR可降至10-5g/m2/day,保证OLED或者量子点发光材料的稳定。另外量子点光学膜QDEF也需要WVTR小于0.1的阻隔膜,保护量子点不受水氧 ...

Mon May 17 14:22:00 CST 2021 0 1651
前驱

知识点1   前趋图:是一个由结点和有向边构成的有向无循环图。该图通常用于表现事务之间先后顺序的制约关系。 知识点2   结点:可以表示一个语句、一个程序段或是一个进程, 知识点1   有向 ...

Sat Dec 21 06:20:00 CST 2019 0 1596
前驱图和程序执行

2、前驱图和程序执行 2.1前驱图 ​ 前趋图是一个有向无循环图,记为DAG(Directed Acyclic Graph),用于描述进程之间执行的前后关系。 例:具有九个结点的前驱前驱关系: ​ P1→P2, P1→P3, P1→P4, P2→P5, P3→P5, P4→P6 ...

Sat Sep 26 18:02:00 CST 2020 0 481
PVD与CVD性能比较

PVD与CVD性能比较 CVD定义: 通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 CVD技术特点: 具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜,例如掺杂或不掺杂 ...

Tue May 18 14:05:00 CST 2021 0 4529
摄像头PVD和CVD薄膜

摄像头PVD和CVD薄膜 在FDP 的生产中,在制作无机薄膜时,可以采用的方法有两种:PVD 和CVD (将VE 和VS 归于PVD ,而ALD 归于CVD)。 Physical Vapor Deposition (PVD) Physical Vapor Deposition ...

Tue May 18 13:49:00 CST 2021 0 2244
 
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