数字芯片低功耗设计分析-Mos管基础
首先我们要分析Cmos电路的功耗来源。 高器件延迟的Cmos电路之所以能取代低延迟的TLL，最大的优点之一就是功耗低，主要原因静止状态下截止电流极低。原因在于Cmos（Complemetary Symmetry Metal-Oxide-Semiconductor Circuit) 内部 ...
原文：mos管功耗
题目：CMOS反相器的功耗主要包括哪几部分 分别与哪些因素相关 P dynamic 是电路翻转产生的动态功耗P short是P管和N管同时导通时产生的短路功耗P leakage 是由扩散区和衬底之间的反向偏置漏电流引起的静态功耗静态功耗：CMOS反相器在静态时，P N管只有一个导通。由于没有Vdd到GND的直流桐庐，所以CMOS的静态功耗应该等于零。但实际上，由于扩散区和衬底的PN结上存在反向漏电 ...
2020-06-11 10:04 0 787 推荐指数：
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