SRAM（静态）存储器芯片的读/写周期
一、 要保证正确地读/写，必须注意CPU时序与存储器读/写周期的配合。一般存储器芯片手册都会给出芯片读/写周期的时序图。 Intel 2114芯片的读、写周期时序如图所示。 二、 读周期 读操作时，必须保证片选信号为低电平，读写信号为高电平。tRC （读周期时间）：指对芯片连续两次读操作 ...
原文：关于SRAM芯片的那些事
. SRAM芯片的常用引脚：地址线 数据线 读写控制线 选择线。 . SRAM芯片的引脚位数： 地址线的位数 芯片内的字数，例如： 个字的芯片应该有 位地址线 ，也就是 KB 。 数据线的位数 每个存储单元的位数，例如： K x b的芯片应该有 位数据线。 读写控制线可以合并为一根，例如：高电平读 低电平写，也可以用两根分别控制。 . 小练习： 若某SRAM芯片的容量标称是 x K，则该芯片有： ...
2020-03-27 22:29 0 899 推荐指数：
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