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40N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是：集电极电流(IC)为40A，集电极-发射极电压(VCES)为1200V，G-E阈值电压(VGE)为5.5V。
40N120参数描述
型号：40N120
封装：TO-220
特性：低功耗场效应管
电性参数：40A 1200V
集电极电流(IC)：40A
脉冲集电极电流(ICM)：160A
集电极-发射极电压(VCES)：1200V
栅极-发射极电压(VGES)：±25V
G-E阈值电压(VGE)：5.5V
G-E漏电流(IGES)：250nA
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
40N120插件封装系列。它的本体长度为21.09mm，加引脚长度为41.39mm，宽度为16.03mm，高度为5.16mm，脚间距为5.45mm。40N120有高速切换、高输入阻抗、符合RoHS等特性。
以上就是关于40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。
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