ASEMI场效应管40N120的参数特点和作用优势
编辑-Z 40N120参数描述 型号：40N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：40A 1200V 集电极电流(IC)：40A 脉冲集电极电流(ICM)：160A 集电极-发射极电压(VCES)：1200V 栅极-发射极电压(VGES)：±25V G-E ...
原文：40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120
编辑 Z N 在TO 封装里引出 个引脚，是一款低功耗场效应管。 N 的脉冲集电极电流 ICM 为 A，G E漏电流 IGES 为 nA，其工作时耐温度范围为 摄氏度。 N 的栅极 发射极电压 VGES 为 V。 N 的电性参数是：集电极电流 IC 为 A，集电极 发射极电压 VCES 为 V，G E阈值电压 VGE 为 . V。 N 参数描述 型号： N 封装：TO 特性：低功耗场效应管 电性参 ...
2021-12-03 16:59 0 747 推荐指数：
相关推荐
MOS管25N120参数，ASEMI场效应管25N120应用
编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数 ...
15N120-ASEMI场效应管15N120
编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A，G-E漏电流(IGES)为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是：二极管 ...
ASEMI场效应管25N120参数，25N120规格，25N120描述
编辑-Z 25N120详细参数： 型号：ASEMI场效应管25N120 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 集电极电流（IC）：25A 脉冲集电极电流（ICM）：75A 二极管连续正向电流（IF）：25A 二极管最大正向电流（IFM ...
25N120-ASEMI大功率场效应管25A 1200V
编辑：ll 25N120-ASEMI大功率场效应管25A 1200V 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电性参数：25A 1200V 正向电流：25A 反向耐压：1200V 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：大电流、MOS ...
7N60-ASEMI场效应管7N60
编辑-Z 7N60在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。7N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A，漏源击穿电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N60的栅源电压(VGS)为±30V，导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数 ...
ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏
编辑-Z ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏？将万用表拨到“RX1K”位置，将电调调到零。7N80的字面朝向自身，从左到右：G（栅极）、D（漏极）、S（源极）。先将黑色表笔接G极，再将红色表笔分别接触D极和S极，然后交换表笔，再进行测量。如果这两次测量的结果都使万用表的指针不动，那么初步判断 ...
10N60-ASEMI品质大功率场效应管
编辑：ll 10N60-ASEMI品质大功率场效应管 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：10A 电压：600V 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 漏电流： 特性：大电流、场效应管 工作温度：-55~+150℃ 10N60的电性 ...