首先该电路的基本模型是用非门构成的非对称式多谐振荡器,有一些小小的改动。至于为什么用非对称式多谐振荡器来测电容,因为电赛期间的电容传感器贵的很,而且还有一种方法就是555多谐振荡器,但是比赛期间验证了555,当它的谐振频率到达400,500K左右就不稳定,然而非门构成的非对称式多谐振荡器的振荡频率理论上可以高达4M,实际我们测的话能达到2M左右,频率越高,最后测纸数越多的时候它的区分度越好。
首先该电路的基本模型是用非门构成的非对称式多谐振荡器,有一些小小的改动。至于为什么用非对称式多谐振荡器来测电容,因为电赛期间的电容传感器贵的很,而且还有一种方法就是555多谐振荡器,但是比赛期间验证了555,当它的谐振频率到达400,500K左右就不稳定,然而非门构成的非对称式多谐振荡器的振荡频率理论上可以高达4M,实际我们测的话能达到2M左右,频率越高,最后测纸数越多的时候它的区分度越好。
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