本文將根據ST官方Flashprogramming manual,文檔編號:PM0059,講解STM32F207內部Flash編程。 01、概述 這里的flash是指STM32F207內部集成的Flash Flash存儲器有以下特點 最大1M字節的能力 128位,也就是16 ...
本文介紹如何使用STM 標准外設庫驅動FLASH,本例程驅動的FLASH為W Q 。 本文適合對單片機及 語言有一定基礎的開發人員閱讀,MCU使用STM F VE系列。 . FLASH簡介 FLASH存儲器又稱為閃存,為可重復擦寫的存儲器,容量比EEPROM大的多。 FLASH在寫入數據時只能把 改成 ,而 無法直接改成 ,因此要寫入數據時,必須先執行擦除操作,而一次擦除操作無法僅擦除一個字節,必 ...
2020-09-29 08:05 0 521 推薦指數:
本文將根據ST官方Flashprogramming manual,文檔編號:PM0059,講解STM32F207內部Flash編程。 01、概述 這里的flash是指STM32F207內部集成的Flash Flash存儲器有以下特點 最大1M字節的能力 128位,也就是16 ...
stm32——Flash讀寫 一、Flash簡介 通過對stm32內部的flash的讀寫可以實現對stm32的編程操作。 stm32的內置可編程Flash在許多場合具有十分重要的意義。如其支持ICP(In Circuit Programming,在電路編程;在線編程)特性使得開發人員 ...
定義一個全局變量數組:const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32F103 FLASH TEST"}; //u8和char* 寫入到內存里會有什么區別???????不都是0101嗎,難道一個元素占的位置大小不同????? #define SIZE sizeof ...
如:SetJointAngle(0,0); ...
本文介紹如何使用STM32標准外設庫驅動EEPROM,本例程驅動的EEPROM為AT24C02,通訊協議為IIC,使用IO口模擬方式。本文適合對單片機及C語言有一定基礎的開發人員閱讀,MCU使用STM32F103VE系列。 1. EEPROM簡介 EEPROM全稱為EEPROM ...
本文原創於觀海聽濤,原作者版權所有,轉載請注明出處。 近幾天開發項目需要用到STM32驅動NAND FLASH,但由於開發板例程以及固件庫是用於小頁(512B),我要用到的FLASH為1G bit的大頁(2K),多走了兩天彎路。以下筆記將說明如何將默認固件庫修改為大頁模式以驅動大容量NAND,並作 ...
寫函數如下: 讀取函數如下: STM的內部flash的讀取對應做升級非常方便!IAP做U盤讀取文件,寫入flash,檢驗寫入都很好! ...
STM32f030f4p6 內部flash 打包讀寫 最近做到的項目在運行需要把一組uint8_t(unsigned ...