一個SRAM單元如上圖所示,M1 M2,M3 M4分別組成反相器,兩個反相器首尾相連。M5與M6為兩個NOMS,他們的柵極連接再WL上,讀寫時,都需要在WL上加電壓。 如何讀取SRAM中存儲的電壓 當讀取時,BLn和 BL兩根線上加標准電壓。假設Q為高電平(Q=1),Qn則為 ...
靜態RAM的基本構造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發存儲單元,再通過位線對所觸發的存儲單元進行讀出或寫入。在靜態CMOS存儲器中,存儲單元陣列將會占去整個存儲器芯片面積的一半以上,在一些大容量的SRAM中,這個比例還要更大一些。因而減小存儲單元出的面積變得尤為重要。一方面我們希望單元面積越小越好 而另一方面隨着存儲單元面積的減小,單元的穩定性又會逐漸變差。那么所謂的存儲器它是靠什么原理 ...
2020-06-05 15:36 0 758 推薦指數:
一個SRAM單元如上圖所示,M1 M2,M3 M4分別組成反相器,兩個反相器首尾相連。M5與M6為兩個NOMS,他們的柵極連接再WL上,讀寫時,都需要在WL上加電壓。 如何讀取SRAM中存儲的電壓 當讀取時,BLn和 BL兩根線上加標准電壓。假設Q為高電平(Q=1),Qn則為 ...
近年來,片上存儲器發展迅速,根據國際半導體技術路線圖(ITRS),隨着超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發展,晶體管特征尺寸進一步縮小,半導體存儲器在片上存儲器上所占的面積比例也越來越高。接下來宇芯電子介紹SRAM的工作原理以及工作過程。 SRAM 寫操作。寫操作就是把數據寫入指定的SRAM ...
靜態數據隨機存儲器存儲器(SRAM)是隨機存儲器存儲器的一種。說白了的“靜態數據”,就是指這類存儲器要是維持接電源,里邊存儲的數據信息就可以恆常維持。相對性下,動態性隨機存儲器存儲器(DRAM)里邊所存儲的數據信息就必須周期性地升級。殊不知,當能源供應終止時,SRAM存儲的數據信息依然會消退,這與 ...
。 存儲器有兩個基礎的組成模塊,充足了解 SRAM和DRAM這兩個定義及其電路原理,針對學習工具CPU架構及 ...
一、 要保證正確地讀/寫,必須注意CPU時序與存儲器讀/寫周期的配合。一般存儲器芯片手冊都會給出芯片讀/寫周期的時序圖。 Intel 2114芯片的讀、寫周期時序如圖所示。 二、 讀周期 讀操作時,必須保證片選信號為低電平,讀寫信號為高電平。tRC (讀周期時間):指對芯片連續兩次讀操作 ...
存儲器概況存儲器是計算機系統中的記憶設備,主要是用來存放程序和數據。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導體存儲器。 非易失性存儲器非易失存儲器是指在系統停止供電的時候仍然可以保持數據。常見的設備如電腦硬盤、TF卡、SD卡、U盤等。 易失性存儲器易失存儲器是指在系統停止供電 ...
prometheus將采集到的樣本以時間序列的方式保存在內存(TSDB 時序數據庫)中,並定時保存到硬盤中。與zabbix不同,zabbix會保存所有的數據,而prometheus本地存儲會保存15天,超過15天以上的數據將會被刪除,若要永久存儲數據,有兩種方式,方式一:修改prometheus ...
表空間,oracle邏緝存儲結構,表空間下包含一個或者多個物理的文件存儲。所有用戶對象存放在表空間中。與系統有關的對象存放在系統表空間中。 數據庫的作用就是實現對數據的管理和查詢。任何一個數據庫系統,必然存在對數據的大量讀或者寫或者兩種操作都大量存在。I/O 問題也往往是導致數據庫性能問題 ...