轉載自: 外部SRAM實驗,讓STM32的外部SRAM操作跟內部SRAM一樣http://www.openedv.com/thread-47895-1-1.html(出處: OpenEdv-開源電子網) 前幾天看到論壇有人在問這個問題,我特意去做了這個實驗,這樣用外部SRAM就跟用內部SRAM ...
近期項目中使用到了 IS LV AL 的芯片,因此我要總結一下。IS LV AL這個是 的的,數據格式是 位,所以一共有 KB的空間,比較大了,stm F zet 才 KB內部SRAM。可以使能byte enable,進行 位的訪問,只要設置好了后,可以像片內的sram一樣,隨意訪問的片外的sram,可以使用指針形式,可以at絕對地址定位的方式 ac ac 兩種方式都可以,但是有所區別 。stm ...
2020-02-24 22:25 0 853 推薦指數:
轉載自: 外部SRAM實驗,讓STM32的外部SRAM操作跟內部SRAM一樣http://www.openedv.com/thread-47895-1-1.html(出處: OpenEdv-開源電子網) 前幾天看到論壇有人在問這個問題,我特意去做了這個實驗,這樣用外部SRAM就跟用內部SRAM ...
源:外部SRAM實驗,讓STM32的外部SRAM操作跟內部SRAM一樣 前幾天看到開源電子論壇(openedv.com)有人在問這個問題,我特意去做了這個實驗,這樣用外部SRAM就跟用內部SRAM一樣,不用自己去申請內存,也不用考慮什么內存地址,一切讓編譯器自己去解決。 廢話不多 ...
據說Flash的擦寫次數是有限的,所以在調試的時候擦來擦去不好,看到boot0、boot1可以配置從SRam啟動,就查了相關資料,試了一下,ok了。記錄一下,免得以后又忘了。跟flash調試部分相同的就不再描述了,重點在於SRam調試的設置部分,大部分以圖片形式 ...
外部中斷 在STM32中,每個IO腳都可以作為外部中斷的輸入腳。 但是一個飲片不可能配置相同數量的中斷線,來接收IO的狀態(上升,下拉,速度等),所以,怎么使中斷線和大數量的IO腳進行配對呢? 如上圖所示的中斷線配置相對應的IO腳,中斷線的數量將大幅度的減少 ...
在學習STM32的時候,由於燒FLASH的所造成的時間會比較慢,而在SRAM中調試的時間會比FLASH快很多,再加上FLASH的時候會經常擦除芯片,會對芯片的壽命造成一定的影響, 其實我本人覺得在學習STM32的路途中,沒有必要也大可不必使用燒FLASH的路徑來對芯片進行實驗性的學習 ...
一、STM32外部中斷 1、STM32外部中斷結構圖 如上圖所示:主要包括四個環節,GPIO、AFIO、EXTI、NVIC。以STM32F103VE(100腳)為例說明硬件模塊的數量: GPIO: 80個 AFIO選擇通道: 16個 外部中斷線EXTI: 16 ...
這兩天調試STM32F103外擴SRAM,將調試過程中遇到的問題記錄下,SRAM的規格是256K*16的異步SRAM,地址總線為18,數據線寬度為16. 在調試過程中遇到一些小問題,希望讀者能少走些彎路。 先看一下FSMC內存映射圖: 由圖可知,stm32的FSMC模塊分為四個bank,每個 ...
最近將兩年前買的STM32F103最小系統板拿出來准備學習,安裝完MDK5后寫了一個點亮LED程序,發現無法下載。查了下購買評論,原來這種板子發貨時已經鎖定了flash。鼓搗了2、3天,最后采取的辦法是通過sram啟動方式,來運行一個flash解鎖程序,程序運行后就可以將板子恢復。在此將該 ...